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莫以豪 《华中科技大学学报(自然科学版)》1983,(1)
本文介绍一种在空气中一次烧成SrTiO_3边界层电容器,该电容器的ε_α和tgδ值与晶粒半导化程度等因素有关,其R_i值与氧化绝缘层的性能有关,调整添加物的含量可控制半导化过程.文中还指出,控制不同温区的冷却速率可控制氧化绝缘层的性能,从而提高ε_α和R_i值,降低tgδ. 相似文献
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本文研究了BaTiO_3半导瓷的晶粒尺寸与施主杂质含量和烧结温度之间的关系,给出了一种施主杂质抑制晶粒生长的解释,讨论了影响BaTiO_3半导瓷的电导率、耐压等电性能的各种因素,指出了获得耐压达250V/mm高质量PTC热敏电阻器的关键所在. 相似文献
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