用双电流法测量双极晶体管的结温

基于Shockley 方程提出用双电流法测量半导体器件的结温,并与传统的线性近似法进行对比,消除了由于不同器件热电性能的差异引入的误差,提高了结温测量精度     

双极晶体管结温分布均匀性的一种判定方法

分析了当双极晶体管结温分布不均匀时用ΔＶＢＥ法测得的温度与器件结温分布以及测量条件的关系，提出了一种快速判断双极晶体管结温分布均匀性的方法。     

MOS场效应晶体管的速度饱和模型

由于裁流子速度饱和效应,MOS场效应晶体管在大电流范围内的转移特性明显地偏离平方律关系而趋近于线性。本文提出的模型给出了这一现象的数学解,由此导出的电特性与实验结果符合得较好。     

3DOV型VMOS高频功率晶体管的研制

本文给出了所研制的双扩散垂直沟道3DOV型高频功率场效应晶体管的设计原理、公式和基本工艺要则。列举了器件的主要性能和试用情况。器件具有高频性能好,可使用动态范围大、栅击穿电压高等特点。     

关于国际电工委员会2000年版热阻标准IEC60747-7中ΔV_(BE)与I_E关系的讨论

指出国际电工委员会标准IEC 74 7 7的热阻部分 ,关于晶体管电流电压温度关系的原理图和波形图是错误的 ,从理论上证明了该标准中的I V T曲线与实际情况相矛盾 ,这一矛盾也被实验所证实 ;同时给出了同一晶体管在两个不同温度下正确的I V T特性曲线和波形图 ,可以作为修正标准的参考样本 .还提供了相应的计算和精确的实测结果 .     

关于国际电工委员会2000年版热阻标准IEC60747-7中△VBE与IE关系的讨论

指出国际电工委员会标准IEC 747-7的热阻部分,关于晶体管电流电压温度关系的原理图和波形图是错误的,从理论上证明了该标准中的I-V-T曲线与实际情况相矛盾,这一矛盾也被实验所证实;同时给出了同一晶体管在两个不同温度下正确的I-V-T特性曲线和波形图,可以作为修正标准的参考样本.还提供了相应的计算和精确的实测结果.     

双极晶体管结温分布均匀性的一种判定方法

分析了当双极晶体管结温分布不均匀时用ΔＶＢＥ法测得的温度与器件结温分布以及测量条件的关系,提出了一种快速判断双极晶体管结温分布均匀性的方法．     

MOSFET的一种新的速度饱和模型

描述了MOSFET中的迁移率、速度对于表面场的相关性。考虑到沟道电位分布对法向场的影响,得到了工作在饱和区的MOSFET 漏端漂移场强为有限值,迁移率为非零值以及载流子的饱和速度随有效栅压的增加而稍有降低的结果。跨导曲线的饱和程度优于已报导的模型。     

半导体随机存取存储器的诊断

鉴于常用的诊断方法(如微探针法,扫描电镜等)不适于测试和一些测试方法(如示波法,比较法等)不适于诊断,我们用简单易行而直观的光点阵列法兼作测试和诊断。叙述了点阵法的过程,探讨了点阵法诊断的原理、步骤、规律,使用全“0”、全“1”法,读写反,走步—踏步法诊断读写电路、存储单元和地址译码系统。定义了伪错码,绘制了伪错汇编图。提出了浮动座标系使系统简化,并进行了实验验证。对存储器的部份故障,初步收到了定量定位的效果。因此点阵法(可连用比较法)是对集成随机存取存储器兼作测试和诊断的一种简易、经济、有效的方法。