修饰碳纳米管的电化学性质及应用

采用化学处理的方法实现了使封闭的碳纳米管端头打开并接上羧基官能团，同时用透射电镜显微图和红外谱对羧基修饰碳纳米管进行了表征。用循环伏安法测定了未修饰和修饰了的碳纳米管电极在l mmol／L Fe2 0．2mol／LHClO4中的电化学行为。实验表明，将碳纳米管羧基修饰后电化学性能得到了很大的改善，提高了电化学活性。实验还发现，羧基修饰碳纳米管电极对多巴胺氧化过程有强的催化作用．     

CHM法合成BaMnO3、Ba1/2Sr1/2MnO3纳米晶体

采用复合碱媒介法(CHM),以BaCl和MnO2为原料在200 ℃、24 h的生长条件下合成了纳米BaMnO3单晶颗粒.采用同样方法,以Sr(NO3)2、BaCO3以及MnO2为原料,在200 ℃、24 h的生长条件下,用50%的Sr替代50%的Ba,成功合成了Ba1/2Sr1/2MnO3.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能量散射X射线谱(EDS)对产物的晶相、形貌和成分进行了分析,并且解释了BaMnO3及Ba1/2Sr1/2MnO3的生长机理.     

水对BaTiO3纳米晶体形状及尺寸的影响

采用复合氢氧化物熔剂法(CHM),以BaCO3和TiO2为原料在200 ℃、48 h的生长条件下成功合成出立方相BaTiO3纳米晶体,研究了加入不同剂量去离子水对晶体生长的影响.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对产物的晶相、形貌进行了分析.结果显示,获得的BaTiO3晶粒平均尺寸可从70 nm增加到400 nm,加水还可以将BaTiO3晶粒由立方形调节为近似球形.     

推导包括磁荷的麦氏方程组的新方法

利用狭义相对论，把由毕奥－萨伐尔定律得到的静磁学场方程推广到四维时空中，利用对称性原则，得到了包括磁荷的麦克斯韦方程组；把由牛顿第２定律得到的静磁场中带电粒子的运动方程推广到四维时空中，利用对称性原则，得到了电磁场与带电荷和磁荷粒子的能量转化定律和洛仑兹力公式。     

获得电磁势一般规律的一种新途径

从毕奥－萨伐尔定律出发，得到静磁学中矢势所满足的一些方程，然后利用狭义相对论的原理，获得了电磁场理论中电磁势所满足的系列方程。同样，又从库仑定律出发，得到静电学中标势所满足的一些方程，再利用相对论的原理，获得了电磁场理论中电磁势所满足的系列方程。     

化学气相9沉积碳电极的电化学特性

利用经学气相沉积法在钨衬底上生长碳电极，用扫描电镜对其表面形貌进行观测，发现表面碳微粒形状规则，微粒尺寸约为2－3μm，但是排列无序，用此电极作为研究电极，在0.1M KCl溶液中做循环伏安法扫描，结果表明，该电极电位窗口高达2.45V，其中窗口正电位达2.2V，它与传统的碳电极（石墨，玻璃碳）和衬底钨电极都有很大的不同。实验还发现该电极具有很好的电化学稳定性和可重复性，在电化学测量时无需预处理等优点。因此，它可作为一种新型优质的分析电极。     

碳纳米管膜电阻率的测定与导电机理

测定了碳纳米管膜电阻率随温度的变化,结果表明,碳纳米管膜的电阻率随温度升高呈下降趋势,表现为负的温度效应.建立了碳纳米管膜的导电模型,推导出了碳纳米管膜电阻率的计算公式,并把理论计算与实验结果进行了比较,发现理论结果与实验数据符合很好.讨论了碳纳米管膜电阻率与碳纳米管直径的关系.     

ZnO纳米板条的合成及其生长机理

采用水热法成功合成了ZnO纳米板条.XRD谱表明该条板六方晶系结构,格点对称群为P63 mc(186),格点参数a=3.249 (A),C=5.505 2 (A).SEM图表明该ZnO纳米板条的长度大约为20μm、宽度为50～300 nm,厚度约为30 nm.并详细介绍了合成ZnO纳米板条的实验过程及生长机理.分析结果表明ZnO纳米板条的形状与生长热系统的压力、温度、溶液的pH值以及锌在参加反应前的存在状态有关.     

碳纳米管的K掺杂

对碳纳米管掺杂特性的了解是控制其价电子的关键。研究发现：单壁碳纳米管进行K掺杂后，其电阻率和转折温度T^*（高于此温度后，dρ/dT的符号由负变为正）都会变小；其电阻会随着掺杂浓度的升高而单调下降，直至饱和。文章还对半导体和金属单壁碳纳米管的K掺杂行为通过光吸收谱进行了研究，另外把分子动力学用于了预测K掺杂单壁碳纳米管的结构。     

碳纳米管膜的压阻效应

对碳纳米管(CNT)膜的压阻效应进行了研究. 实验所用的碳纳米管用热灯丝气相沉积法(CVD)合成, 压阻效应用3点弯曲法测量. 研究发现: 在室温下与500微应变时, 碳纳米管膜的压阻因子至少是65, 超过多晶硅(Si)在35℃时的压阻因子30. 并且, 碳纳米管膜的压阻因子随温度的升高而变大. 还讨论了碳纳米管膜出现压阻效应的机制.