硅稳压二极管的高温贮存加速寿命试验及失效分析

一、引言我们曾与某厂的同志一道,用“加速寿命试验”的方法对硅稳压二极管2CW_2的可靠性作了考查,其中主要的一项实验是“高温贮存加速寿命试验”。选取的温度为100、125、150、175、200和225℃共六组,每组分别存放受试元件100或200只,试验连续进行了五千小时。我们采用图估计法处理实验数据,计算了分布参数和失效激活能,预测了在正常温度下的寿命。实验结果表明,这批元件的累积失效率基本上服从威布尔分布。     

半导陶瓷湿度传感器的阻抗—湿度特性

用二氧化锆、二氧化硅、磷酸和其它掺杂剂制作各种半导瓷湿度传感器。电导的加强是依靠水的吸附和毛细凝聚。随着相对湿度逐步从5％增大到100％,在20℃和1kHz时,阻抗由2×10~8Ω减小到2×10~3Ω。电阻随湿度改变的响应时间在5s以下,为了降低多元氧化物半导瓷的阻抗,研究了多孔瓷体中掺杂纯金属或金属氧化物的效果,对一种最简单的制作半导瓷湿度传感器的方法作了具体介绍。推导了半导瓷湿度传感器的通用的阻抗—湿度特性方程式,并且用以计算一些实际样品的阻抗—湿度特性曲线,获得理论结果同实验测量之间互相一致。     

用激光拉曼谱表征半导陶瓷湿度传感器中晶粒微结构的特性

半导陶瓷湿度传感器是用固相反应和粉末压片烧结的方法制作，它以二氧化锆、二氧化硅、五氧化二磷为主料，并且掺杂三氧化二钇和五氧化二铌．借助于高分辨率的四角和单斜二氧化锆的激光拉曼标准谱，二氧化锆晶粒的微结构显然在未掺杂和用三氧化二钇或五氧化二铌掺杂的样品中分别属于单斜和四角对称晶系．它们在激光显微镜下发出可以区分的不同色彩的荧光．未掺杂的二氧化锆晶粒是线度为１～２μｍ的斜角四边形，而掺杂烧结的晶粒是尺寸大到３～１０μｍ的正方形，后者有利于减小半导陶瓷传感器的电阻率     

在制作集成电路时用冠醚清除二氧化硅中的碱金属杂质

在制作集成电路时,为了增大P—N结的反向击穿电压和减小晶体管的交叉漏电流,我们利用冠醚清除二氧化硅中的碱金属杂质。一些试验结果对于生产者是有用的。     

集成电路中铝在二氧化硅表面的扩散

在用扫描电子显微镜和俄歇电子能谱仪观测集成电路表面的时候,我们曾经看到集成电路中的铝沿着二氧化硅的表面扩散。根据铝俄歇电子的分布曲线,我们计算了铝在二氧化硅表面上的扩散系数和激活能。     

用冠醚清除硅单晶太阳电池表面上的碱金属杂质

为了增大硅单晶太阳电池的短路电流和光电转换效率,一种用冠醚减小硅表面碱金属杂质沾污的简单方法也被用来清除硅单晶太阳电池表面上的碱金属杂质。获得一些良好的效果。     

用冠醚络合硅表面的碱金属杂质

本文介绍了用冠醚除杂减少硅表面的碱金属杂质沾污的简单方法。并且应用“高频CV特性测试仪”和“半导体杂质浓度分布测试仪”分别测量外延硅单晶在冠醚除杂前后表面可动杂质离子的浓度变化及杂质浓度的纵向分布。最后估算了冠醚分子络合碱金属离子的结合能。     

用激光拉曼谱表征半导体陶瓷湿度传感器中晶粒微结构的特性

半导陶瓷湿度传感器是用固相反应和粉末压片烧结的方法制作，它以二氧化锆、二氧化硅、五氧化磷为主料，并且掺杂三氧化二钇和五氧化二铌。借助于高分辨率的四角和单斜二氧化锆的激光拉曼标准谱，二氧化锆晶粒的微结构显然在未掺杂和三氧化二钇或五氧化二铌掺杂的样品中分别属于单斜和四角对称晶系。它们在激光显微镜下发出可以区分的不同色彩的荧光。未掺杂的二氧化锆晶粒是线工为１￣２μｍ的斜角四边形，而掺杂烧结的晶粒是尺寸大