In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长

本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.     

单片集成正装结构的GaAlAs/GaAs激光器的热阻特性

本文利用二维热流模型,计算了适于单片集成正装结构GaAlAs/GaAs激光器的热阻,讨论了各种参数对热阻的影响。此外,还采用正向压降法测量了不同腔长激光器的热阻,并与理论曲线进行了比较。     

In_(1-x)Ga_xAs材料的LP-MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEIn)和AsH_3为原,在(100)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs外延层的生长条件,并用X射线单晶衍射仪和光电子能谱(XPS)仪给出了不同TEIn与TMG摩尔流量比下外延层的测量结果.     

1.5ps 碰撞脉冲锁模量子阱激光器

１．５ｐｓ碰撞脉冲锁模量子阱激光器胡礼中（大连理工大学物理系１１６０２４）孙洪波刘式墉（吉林大学电子工程系长春１３００２３）超短光脉冲在物理、化学和生物学中的超快现象研究和信息工程中超快过程处理等方面有着巨大的应用价值。用来实现超短光脉冲的方法主要有...     

AlGaAs／GaAs单片集成激光发射机

报道一种新型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单片集成激光发射机。这种器件利用液相外延生长中的伴生高阻层，解决了半导体激光器与场效 晶体管驱动电路的工艺共容性问题，具有场效 晶体管与激光器结构同时形成且二者表面自动找平、制作简单的优点。     

激光刻蚀与化学腐蚀结合法制备量子线(点)结构

目前制备量子线(点)主要采用微细加工或自组织方法，但存在沾污或分布规律不可控等局限性．介绍了一种既可避免这些缺点而且简单易行的方法：利用激光刻蚀与化学腐蚀相结合的方法，在InP单晶片上刻蚀出了台宽为1μm且分布规则的条状结构和网格结构，通过化学方法进一步腐蚀后，可使台宽减小到160nm左右．     

日益活跃的蓝色发光材料的研究进展

日益活跃的蓝色发光材料的研究进展刘艳红胡礼中（大连理工大学物理系１１６０２４）蓝色在全彩色化显示及提高存储密度方面有重要的应用价值。传统的蓝色发光材料有ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ等。ＳｉＣ是间接带隙半导体，发光强度有限，其发光二极管亮度只有１０～２０ｍ...     

微解理单片集成SCC激光器的纵模特性

本文给出两个计算耦合腔激光器阈值增益和纵模位置的解析表达式,详细讨论了微解理单片集成SCC激光器的纵模特性,并结合电子增益谱特性分析了一些器件的实测激射谱。     

自催化脉冲激光沉积方法制备ZnO纳米棒阵列

采用脉冲激光沉积方法在ZnO作为缓冲层的InP（100）衬底上制备了高密度ZnO纳米棒阵列．扫描电子显微镜图像显示ZnO缓冲层形成较为均匀的岛状结构,ZnO纳米棒具有垂直于衬底的统一生长方向．X射线衍射测试在34．46°出现尖锐的衍射峰,说明ZnO纳米棒具有（002）择优取向．PL谱在380nm出现强的近带边发射峰,在495nm出现弱的深能级发射峰,表明ZnO纳米棒具有较好的光学性质．本实验制备的高质量ZnO纳米棒阵列有望在现在和未来的纳米器件制作中得到应用．     

CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究

采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180～200K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10K升至300K时,带隙能红移61.34meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9:0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为:α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.