热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟（ITO）薄膜，在相同条件下制备了两种不同溅射时间（30、10min）的样品，样品在400℃的大气中进行1h退火处理．利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱，并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度；用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质，包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率．实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响，退火样品在可见光区域的透过率明显提高，且光学吸收边向长波方向移动；然而，退火前薄膜的电学性能更好．     

反应磁控溅射制备五氧化二铌光学薄膜

利用低频反应磁控溅射制备五氧化二铌光学薄膜.薄膜的微结构、表面形貌和光学性质等分别采用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜和紫外可见近红外分光光度计等观察和测量.测量发现溅射制备的光学薄膜为非晶结构,具有很好的表面平整度,厚度为515nm,光学波长为550nm处的折射率为2.264,可见光波段的消光系数小于10-3,光学带隙为3.49eV.结果表明制备的五氧化二铌膜是性能良好的光学薄膜.     

微机自动光谱扫描系统的研制

将APPLE-Ⅱ微机与光栅单色仪构成一个单光束光谱扫描微型机实时控制和数据处理系统。由微机控制步进电机实现单色仪的自动扫描,并采用有效的硬件和软件保护措施,使得扫描控制灵活、方便,波长定位准确,系统可靠性好。应用最小二乘法原理对噪声进行抑制和对测量系统自身函数进行自动、精密的实时修正,提高了光谱测量的精度。将本系统应用于光学镀膜中,可逐层监测膜片的光谱曲线,显示并绘制相应膜层的光谱曲线图。     

CoxNi1-x磁性膜标度行为的研究

采用磁控溅射法制备了多晶的Co、Co50N i50、N i薄膜,测量了退火前后这些薄膜的磁滞回线,研究了磁滞回线的面积随外加交流磁场的振幅、频率的变化关系.实验结果表明,退火前后Co、Co50N i50和N i磁性薄膜的磁化动力学行为都满足标度关系A=A0 Hα0Ωβ,退火后磁性薄膜的α值增加,β值减少,这主要是退火后磁性膜的磁各向异性减少.     

Co薄膜的磁滞回线标度行为

采用磁控溅射法制备了多晶的Co薄膜,研究了其结构、磁滞行为和标度关系.实验结果表明:Co薄膜具有简单立方结构和沿膜面的易磁化方向;沿Co磁性薄膜的易磁化方向所得到的标度指数值α=0.90,与其它实验和理论计算结果相近;而对于沿难轴方向,Co磁性膜的标度指数(α=1.8)比沿易磁化方向的要大得多,这种差异有待进一步的理论研究.     

微机自动测量铁磁物质的磁化曲线

应用积分法由微机自动测量铁磁物质的磁化曲线，并给出硬件电路和测试结果。     

氧分压对射频磁控溅射制备氧化锌薄膜光电学性质的影响

利用射频磁控溅射在石英基片上沉积ZnO薄膜.为了研究氧分压对ZnO薄膜的结构和光电学性质的影响,在氧分压0.00,2.54,5.06,7.57 mPa的条件下制备了4个样品.样品的微结构、表面形貌和光电学性质分别用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计和Van der Pauw方法进行测量.结果表明,所有样品的主要衍射...     

高电压绝缘介质损耗角测量的数字处理

分析高电压介质损耗角数字化测量中谐波及干扰信号等误差因素，探讨零相差FIR滤波器设计，采用傅里叶变换等数字处理方法，使用DSP系统测量介质的损耗角，并给出有关计算结果。仿真计算结果表明，该方法具有较高的抗干扰能力和准确度。     

退火对TiO2和Ta2O5光学薄膜的结构和光学性质的影响

将反应磁控溅射制备的二氧化钛和五氧化二钽薄膜在温度400℃的条件下退火处理.利用X射线衍射、原子力显微镜和分光光度计等设备对退火后薄膜的结构、表面形貌和光学性质进行研究.实验表明:退火后的T iO2薄膜为多晶结构,薄膜的表面粗糙度、折射率和消光系数都出现增大现象.然而,对于退火后的T a2O5薄膜,它的结构还是非晶态,薄膜的表面粗糙度比退火前小;同时折射率和消光系数均有减小.这些结果说明薄膜退火后的特性与薄膜材料的内部结构及结晶转变温度等有密切相关.     

计算机红外遥测计时系统

本文介绍应用8253芯片在APPLE-Ⅱ计算机管理下建立一个多用途的红外遥测式光电计时仪,并给出硬件电路和应用实例。