ZnS结构类型的半导体化合物禁带宽度变化的规律

Pearson,Suchet,Manca等曾应用结构化学的参数讨论了本征半导体的禁带宽度的变化规律及其与物理化学性质的联系,这些研究工作都是很有意义的,在这些研究工作的启发下,本文作者试图以周期律为指导,探求具有ZnS结构类型的本征半导体化合物的禁带宽度变化的规律,并提出了一个依据化合物中元素在周期表中的位置计算其禁带宽度的经验公式,依此公式所得的计算值与实验值相当符合,但其物理意义则有待于深入探讨.     

双核金属锆分子氮络合物的分子轨道理论研究

平面型的侧基配位双核锆分子氮络合物｛［１－ｐｒＰＣＨ＿２ＳｉＭｅ＿２）＿２Ｎ］ＺｒＣｌ｝＿２（μ－￣２η：η￣２－Ｎ＿２）的电子结构、成键图象以及锆碎片络合物与分子氮轨道相互作用是通过量子化学ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘａ计算得到的，结果表明这类前过渡金属原子的ｄ轨道和分子氮１π＿ｇ轨道之间有较强的ｄ－π作用，以致对分子氮有显著的活化作用．     

ABO_2型(D型)化合物的电子结构与导电性

含有两种金属原子的ABO_2型三元化合物是广泛存在的.这类化合物具有类铜铁矿型的结构[1],B原子以八面体配位,A原子呈直线型配位。由于结构的特殊性,导致该化合物导电性的强烈的各向异性,使之成为良好的电极材料[2].因此,对此类化合物的研究,不仅在化学键理论上,而且对于实际应用都有重要意义. D、B、Rogers等对该化合物曾做了许多工作,并由价键理论出发,假设A的原子轨道以sd杂化的定性模型来解释上述结构和性质[3],做了一些有意义的讨论. 然而,根据实验结果,该类化合物的导电性跟A、B原子均有关系.进一步揭示导电性的各向异性与原子间…     

AB_2和AB_3型分子键角变化的规律

本文对AB_2和AB_3型分子的几何模型变化的规律进行探讨。依关于非(?)合原子间的相互作用是决定键角偏离“正常值”的主要因素这观点,得出一个联系键长、键角和非键合原子的范德华半径的关系的经验公式,这经验公式表明: (1)非键合原子间的相互作用是决定分子空间构型的一个重要因素。 (2)非键合原子的电子云相互重叠程度决定于“中心原子”的性质。     

休克尔矩阵图形方法研究金属表面的电荷密度与键级关系

休克尔矩阵图形方法研究金属表面的电荷密度与键级关系王银桂，杜俊民（厦门大学化学系）（国家海洋局第三海洋研究所）近几年，有关低维金属以及金属氧化物和硫化物导体材料的相结构与电荷密度（ＣＤＷ）的相互联系的报道愈来愈多￣［１，２，３］．我们曾在前义讨论了低...     

四核前过渡金属原子簇的成键模式

用半径验分子轨道理论方法研究了各种构型的四核前过渡金属原子簇,分析了它们的成键能力,讨论了簇合物构型与电子数和配体效应之间的关系,说明了给定化学计量的簇合物构型及实例,讨论了金属原子轨道对金用-金属键的贡献。     

镧系元素的双齿硫基配体八配位络合物的化学键

采用量子化学中的SCC-DV-X_?方法研究了双硫基配体八配位镧系元素络合物的电子结构和配位结构中的化学键性质,结果表明此类配位结构的镧系元素配合物的共价性质是相当显著的,且镧系元素的4f轨道参加了与配体组成的成键分子轨道。     

双核双氯桥ⅣB族过渡金属簇合物M_2Cl_6[(i-pr)_2PCH_2CH_2P(i-pr)_2]_2(M=Ti、Zr、Hf)的电子结构

具有双桥氯基的Ti、Zr、Hf的双核簇合物的电子结构是通过量子化学中DV-Xa方法计算得到的,计算结果表明:锆和铪的双核簇合物有M-M键存在,为抗磁性化合物;而钛的双核络合物不存在M-M键,并且在经过一次二级Jahn-Teller效应后,HOMO与LUMO能级差还是那么小,电子云弥散到LUMO,LUMO和HOMO好象是简并轨道,电子基本上是单占据的,所以是顺磁性化合物,这些结论与磁共振实验结果是一致的。     

f^n组态在jj偶合下亲态比系数的计算

含f 轨道元素的原子或离子的电子结构和光谱性质,在考虑强的旋—轨偶合—jj偶合时,各组态的亲态比系数对于简化各类对称算符矩阵元的计算有着十分重要作用。本文中利用置换群外积偶合系数以及外积等标量因子(ISF),结合纯组态的亲态比系数和9 j符号(或 Racah系数)来计算混合组态的亲态比系数,计算了f~n 组态(n=3,4)的混合组态亲态比系数,并给出双电子混合态的jj偶合与LS 偶合的变换系数。