单晶-多晶硅P~+N结二极管基区载流子的寿命

本文研究了单品－多晶硅Ｐ＋Ｎ结二极管基区载流子寿命与掺杂浓度、晶粒大小 的关系。在重掺杂 Ｐ型单晶硅上，用 ＬＰＣＶＤ法生长多晶硅薄膜，离子注入磷后， 形成 Ｐ＋Ｎ结。掺磷浓度从 ５．４×１０１４ｃｍ－３变化到 ６．０×１０１８ｃｍ－３，相应二极管的 基区少数载流子寿命从１．４×１０－１０Ｓ减少到７．５×１０－１３ｓ并且随着晶粒尺寸的增加， 寿命变大。实验结果和 Ｈｏｗａｒｄ Ｃ．Ｃａｒｄ等人对 Ｎ型多晶硅少数载流子寿命随掺 杂浓度、晶粒大小变化的理论相符合．     

激光刻蚀与化学腐蚀结合法制备量子线(点)结构

目前制备量子线(点)主要采用微细加工或自组织方法，但存在沾污或分布规律不可控等局限性．介绍了一种既可避免这些缺点而且简单易行的方法：利用激光刻蚀与化学腐蚀相结合的方法，在InP单晶片上刻蚀出了台宽为1μm且分布规则的条状结构和网格结构，通过化学方法进一步腐蚀后，可使台宽减小到160nm左右．     

基于二维耦合模型的MBA招生规模与效益分析

以二维耦合模型分析MBA招生规模与就业成本、政府投入、支出成本、学费标准之间的关系,并以MBA产业链流图对招生规模与培养对象利益做宏观分析,最后指出招生规模是影响投入经费、学费标准、教育成本、就业成本系数的关键因素;也是整个MBA产业链中的核心环节.     

半导体材料禁带宽度测试装置的研制

根据光电导方法，研制了 ＤＢ－１型半导体材料禁带宽度测试装置。该装置经测 试验证及用户使用表明：整个测试系统具有测量数值精确、测试速度快、样品安装方 便、装置的稳定性和重复性好等优点，实现了对半导体材料禁带宽度的测定，可为进 一步研究半导体材料的能带模型提供实验数据。     

温度对多晶硅薄膜迁移率的影响

本文研究了多晶硅薄膜在－１９５℃到９６℃的环境温度下霍尔迁移率变化的规 律。在Ｓｅｔｏ提出的多晶硅薄膜导电模型的基础上，进一步从理论上分析了迁移率随 环境温度变化的规律。对非高度简并化的多晶硅薄膜样品，先是随环境温度升高而增 大，达到极值后，又随温度的继续升高而降低，并且指出达到极值的温度和晶粒边界 的势垒高度有关，理论分析和实验结果一致。对高度简并化的多晶硅薄膜样品，实验 结果表明．当测试温度上升到－１６５℃以后直到８０℃，其迁移率基本上不随温度变 化．