鋁的晶粒边界本性对蠕变的影响

一、引言大多数金属材料是在多晶状态下使用的.此时金属的性貭包括两个部分:晶粒内部的性质和晶粒边界的性貭。在许多文献中都研究了晶粒大小对金属性质的影响.晶粒愈大则晶界的相对影响愈小.在低温下细晶粒金属具有较好的力学性质,细晶粒金属的弹性性能较好,例如拉伸试验时比例极限随着晶粒变细而增加.晶粒边界对范性的影响比对强度的影响大.的工作(1957)指出,只有当样品截面中晶粒数小于20的时候(实验是用锡做的)晶粒大小对强度和范性才会有明显的影响.我们在研究低碳钢的范性时(莫洛卓夫和王煜明,1957)也得到相似的结论. 这样,就可以得出一个结论:在晶粒边界上有着很大的晶格畸变. 曾经观察到,随着金属纯度的增高,晶界对金属强度的影响减小.这说明杂质原子     

两种Y_1Ba_2Cu_3O_(9-x)超导材料的相分析

实验 样品为不同配方,不同烧结工艺烧结的圆片状(φ13mm)多晶体试样,序号为nη3和nμ4。低温磁性实验及电阻的测量结果表明,nμ3有较好的超导性。 两种样品在同一条件下进行实验,使用转靶X射线衍射仪,Co靶,V=50kV,I=180mA。连续扫描后,选择四个主要衍射峰做阶梯扫描。广角连续扫描自2θ=10°到2θ=145°。     

Cu/Ni多层膜的电阻与位错

采用电桥及X射线衍射线形分析法研究磁控溅射Cu／Ni多层膜（CLI及Ni单层厚度均为5nm）的室温电阻率及平均位错密度随对层（bilayer）层数的变化规律．结果表明,随层数增加,电阻率及平均位错密度减少;多层膜电阻率大于单层膜电阻率;单层膜电阻率大于同质块状体的电阻率．并对其微观机制进行分析．     

TiNi形状记忆合金薄膜结晶粒子的长大行为

将采用直流磁控溅射方法制备的TiNi薄膜沉积在玻璃衬底上, 在退火温度为500 ℃时, 应用X射线衍射（XRD）和小角X射线散射（SAXS）研究室温溅射的TiNi合金薄膜结晶粒子的长大行为. 结果表明, 薄膜中的晶化粒子约在前13 min以成核的方式生成, 而在13 min后不断长大, R₃G与退火时间t的关系不完全满足Lifshitz’s动力学理论.      

富Ti-TiNi形状记忆合金薄膜的析出相与相变

研究溅射富Ti－TiNi合金薄膜中的析出相及相变温度随退火温度和时间的变化规律;同时对富Ti－TiNi合金薄膜的马氏体相变温度比块村富Ti－TiNi合金及富Ni－TiNi合金薄膜低的原因进行讨论．     

快速液相色谱柱的研制及性能

本文除对快速液相色谱柱设计的基本原则进行讨论外,主要对所研制的5厘米快速柱的基本性能进行了考察。结果表明,该柱具有良好的热力学和动力学特性,每根柱效约为4000理论塔板,渗透性好,峰形对称,选择性与5微米反相化学键合相相当,特别是具有分析速度快和节省溶剂的突出特点,可在普通液相色谱系统上推广使用。     

铜中回复再结晶过程中微量杂质与晶体缺陷的相互作用

提出了一个Cu中回复再结晶过程中微量杂质与晶体缺陷的相互作用的理论模型。杂质原子和点缺陷形成稳定的集团,杂质原子富集在位错线上起钉扎作用。据此计算了回复温度、形变合金电阻率、形变层错率、位错密度以及再结晶开始温度。理论结果和实验符合得较好。     

钨对铁的原子键强度的影响

用室温和低温下对同一样品进行 x 线衍射照相的方法测量了各种金属和合金的德拜强度,以此标志其原子键强度.比较了上述方法和测量弹性模量的方法所得的德拜温度数据,提出了对上述方法的异意.我们认为在使用这种方法估计原子键强度时确实应该十分小心.对于复杂结构,原子踺在各处是不均匀的,只能得到平均反应的 x 线衍射方法不能得到有用的结果.此     

二元单相铜合金再结晶研究

金属与合金的再結晶是金属与合金强度問題的一个組成部分,特別是耐热强度問題中的一个重要部分。可以一般地說,金属与合金的再結晶溫度愈高,耐热强度就愈高.所以根据合金元素对再結晶的影响可以初步判断它們对耐热强度的影响,这对耐热合金的研究是很重要的.另一方面,再結晶問題是金属物理方面的一个古老的問題,然而关于再結晶机構和理論迄今并未圓滿解决,特別是合金再結晶問題由于缺乏系統的研究,     

用SAXS研究1420合金时效-回归-再时效析出δ＇相

应用小角x射线散射（SAXS）技术研究1420合金时效-回归-再时效析出δ＇相的行为。结果表明,再时效处理5h后析出的δ＇相与基体问存在明显的过渡界面层,再时效48h后过渡界面层消失,时效80h和再时效80h析出δ＇相的回转半径分别为9.32nm和8.27nm。再时效过程中δ＇相粒子的长大速度比回归前慢,随着再时效时间的增加,粒子非均匀长大。