退火对氟化类金刚石膜结构及电学性能的影响

以CF4和CH4为源气体,在不同的温度和功率下,使用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备氟化类金刚石（F-DLC）薄膜,并在Ar气中进行退火处理。利用椭偏仪、X射线衍射仪、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、拉曼光谱仪（Raman）以及QS电桥对薄膜厚度、结构以及电学性质进行表征。研究结果表明：在退火温度为300℃时,薄膜很稳定;退火温度达到400℃时,大部分H从膜内逸出,C—Hx（x=1,2,3）化学键基本消失,C—Fx,C=C和C=O等化学键的相对含量发生改变;薄膜的介电常数与薄膜内F的含量有关,退火使F的含量减少,介电常数增大。     

闪锌矿结构BN，AIN和GaN的介电和动力学性质的第一性原理计算

用从头计算第一性原理赝势方法对闪锌矿结构BN,AlN和GaN的电子结构、介电和动力学性质进行了计算．用密度泛函理论赝势平面波方法计算了这些材料的平衡晶格常数、体弹模量和带隙．基于密度函数扰动理论的线性响应方法计算了它们的玻恩有效电荷,高频介电常数和原子力常数．原子力常数为在全布里渊区插入动力学矩阵是很有帮助的,通过利用原子力常数插入动力学矩阵得到了几个高对称性方向的声子频率．讨论了闪锌矿结构BN,AlN和GaN之间的介电和动力学性质差异,同时与其他理论计算和实验结果作了比较．总的来说,结果与其他理论和实验值比较一致．     

圆锥形图形化蓝宝石衬底对MOCVD生长GaN外延膜的位错密度和应力应变影响

通过金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）方法在2．5μm×1．6μm×0．5μm圆锥形图形化蓝宝石衬底（CPSS）和没有图形化平面蓝宝石衬底（uss）上生长GaN外延膜．高分辨率X射线衍射仪（HRXRD）测试结果表明,生长在CPSS上GaN的刃位错的密度比生长在USS上GaN的刃位错密度低得多;从透射电子显微镜（TEM）观察,CPSS可有效地减小GaN外延膜中的线位错密度;拉曼散射谱显示通过CPSS可有效地减小GaN外延膜中的残余应力;比较两种外延膜中的光致发光谱（PL）,能从生长在CPSS上GaN外延膜中观察到强而尖的带边发射．以上结果表明：生长在CPSS上GaN外延膜的质量高于生长在USS上GaN外延膜的质量．