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论述了船台桩基础"冻拔"现象的观测实验过程,桩基础"冻拔"位移值取得的实验方法和"冻拔"规律的研究。 相似文献
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在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiC MOS电容. 通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比. 在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV*cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1*cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求. 相似文献
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论述了切向冻胀应力引起船台桩基础"冻拔"质量问题的作用机理;研究制定的"冻拔"质量问题的工程防治措施应用效果的实验监测。 相似文献
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人工湖岸挡土墙“冻害”与防治措施研究 总被引:2,自引:1,他引:1
论述了水平冻胀应力对挡土墙的“冻胀”作用,分析挡土墙冻胀水平位移的形态及成因,研究制定的“冻害”防治措施的实施和效果评估。 相似文献
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