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提出了一种适于MEMS电容加速度计读出电路带宽可调的低通滤波器,带宽调节范围为100~8000 kHz。信号频率低于500 Hz时选用开关电容低通滤波器,高于500 Hz的信号则由连续时间低通滤波器来处理。该低通滤波器采用1.2 μm的2P2M的N-阱CMOS工艺实现。设计中分析并解决了因时钟信号引起的制约开关性能的因素:优化的开关时序消除了电荷注入引起的非线性;时钟馈通敏感节点增加虚拟开关抵消了耦合电荷;高PSRR共源共栅折叠式差分输入结构,有效地抑制了来自电源的干扰,改善了电路的性能。 相似文献
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一种频率线性可调的正交正弦波振荡器 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种用于MEMS传感器电容读出的频率可调的正弦波振荡器。振荡器采用OTA-C结构,通过调节工作于线性区的MOS管的漏源电压来改变OTA的g_m,从而实现对频率的调节。振荡器可输出四路相位分别为90°,180°,270°和360°的振荡信号。芯片在0.5μm2P3MCMOS工艺下设计并流片,测试表明在5V电源电压下振荡频率在180KHz~1.2MHz之间线性可调,振荡频率对于电源电压变化的灵敏度为8.1%/V。 相似文献
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