用正电子湮没研究γ辐照和压力驰豫对聚苯乙烯自由体积特性的影响

在γ辐照０～４０Ｍｒａｄ的范围内测量了高强度聚苯乙烯（ｈｉｇｈｉｍｐａｃｔｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ，ＨＩＰＳ）的正电子湮没寿命谱，发现随着辐照剂量的增加，ｏ－Ｐｓ寿命τ３基本不变（约为１．９８ｎｓ），而ｏ－Ｐｓ强度Ⅰ３下降；当辐照剂量由２０Ｍｒａｄ上升到４０Ｍｒａｄ时，自由体积孔洞的半径分布宽度变窄；此外，还测量了在压力驰豫期间ＨＩＰＳ的正电子湮没寿命谱，施加的静态压力为０，２５，５０ＭＰａ，发现τ３不随驰豫时间ｔ变化（约为２．０ｎｓ），但Ⅰ３随时间下降。     

电子偶素实验研究进展

电子偶素是一个电子和正电子组成的准束缚系统。目前它在原子物理、化学和固体物理中已得到了广泛的应用。近年来,在检验量子电动力学的基本理论和研究弱相互作用等方面,它更引起了人们的极大兴趣。《电子偶素实验研究进展》一文对电子偶素这一新兴领域及其最新的进展作了介绍。     

用正电子研究水热处理对NH4NaY沸石结构的影响

用正电子湮没谱学研究了水热处理时间及温度对Ｎ４ＨＮａＹ沸石的影响，了ＮＨ４ＮａＹ沸石分子筛在７００℃经不同的水热处理时间和在不同温度下水热自理１ｈ后的正电子寿命谱，所有谱中都出现了５个寿命分量，其第中５寿命及其强度与生成二次孔的大小和数量相关。     

塑性形变p型GaAs中的缺陷特性研究

用正电子湮没命谱研究了塑性变形ｐ型砷化镓中的缺陷性质,样品原始载流子浓度为２．６３×１０＾１８ｃｍ＾－３,形变量分别为２．５％,５％,７．５％,１０％和１５％,室温正电子寿命测量结构显示,形变样品中有新的空间型缺陷产生,鉴定为空位团,根据塑性多变样品中空位团的正电捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断,在ｐ型ＧａＡｓ中,塑性形变产生的空位团的荷电性为正,正电子寿命温度实验显示,在低温下形变样品中还存     

用正电子研究Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体的缺陷谱

简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体缺陷的最新进展,包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等,研究表明,在原生半导体材料中存在各种缺陷,经过辐照和璩 变化有单空位、双空位及孔洞形成;在重掺杂材料中,空位还补偿载流子,使载流子发生饱和。     

BiSrCaCuO高温超导体中正电子湮没多普勒展宽谱的温度关系

继LaBaCuO和YBacCuO之后,不含稀土的、临界温度高于100K的BiSrCaCuO高温超导体的发现,进一步刺激人们研究高温超导机制的热情和寻求具有更高转变温度新体系的努力。正电子湮没是研究固体电子结构、缺陷和相变的有力工具,已成为研究新型氧化物超导体的最灵敏的实验方法之一。它能提供有关样品电子结构、氧空位的分布和迁移以及