浅结硅光伏电池光响应特性实验研究

实验研究了电子束辐照诱导半导体掺杂技术制作的浅结硅光伏电池光响应特性。给出其相对光谱响应和激光感生光电压值。结果表明该器件具有较好的光响应特性。     

MOVPE生长不掺杂薄GaAs层线偏振光吸收系数和折射率的电流感生变化

本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光波长(λ)呈脉冲线型非线性变化。电流增加,△α,△n和脉冲线型函数的半极值全宽值都明显增大,而△α-λ谱和△n-λ谱的峰值对应的λ_p值明显移向长波端。不掺杂薄GaAs层内电流感生的这种光学非线性效应,对了解具有多薄层结构的电流注入型半导体光电子器件和集成光学元件的物理机制,设计和改进器件性能具有实用参考价值。     

InSb的带间法拉第效应

本文介绍在N型InSb中用可调谐CO和CO_2激光器进行价带或受主杂质能级电子跃迁到导带所引起的束缚电子带间法拉第效应的实验研究,实验分析指出在CO_2激光器的10.6μ和9.6μ波段,对于较低的载流子浓度的样品,测量得到的法拉第旋转角是有两部分组成,是取正值的自由载流子造成的旋转角与取负值的束缚电子造成的带间法拉第旋转角之和。用CO激光器的5.3μ波段,由于光子能量接近77K和20K时InSb禁带宽度相应的能量,可以观察到带间法拉第效应的谐振现象,和BHL理论公式的计算结果相符,初步观察了带间法拉第旋转角随磁场变化的振荡曲线。     

GaAs：Cr中深能级俘获效应对电导的影响

本文报导半绝缘GaAs:Cr的低压和低频电流振荡现象,在室温下系统地测量电流和电压关系的伏安特性,并进一步研究在红外和可见光辐照下的振荡规律,分析了深能级俘获过程对导带内电子浓度和迁移率的影响。     

锑化铟(InSb)中自旋反转受激喇曼散射

在外磁场下,入射激光光束通过n型锑化铟(InSb)晶体,引起导带朗道能级内电子自旋方向的反转,产生受激喇曼散射。斯托克斯受激喇曼散射光输出频率为:ω_s=ω_o-gμ_BB,其中ω_o为入射泵浦光频率,μ_B为波尔磁子,B为磁场强度,g为InSb中导带电子的有效g因子。在InSb中,由于窄禁带宽度和强的自旋轨道耦合,使有效g因子值大达50,这意味着散射光的频率能在较大范围内磁调谐。自旋反转喇曼散射作为可调谐的红外辐射源的研究和应用,近来在国际上受到了重视。     

注入电流对MOVPE生长GaAs薄层光透射特性的影响

本文报道MOVPE生长不掺杂GaAs薄层对线偏振光和自然光的透射特性,详细介绍注入电流对光透射特性的影响。     

KNbO3：Fe环形腔自泵相位共轭

本文介绍有附加反射镜组的ＫＮｂＯ３：Ｆｅ环形腔自泵相位共轭器，实验测量了自泵相位共轭反射率ηｃ随入射角ａ，环形腔光束夹角２θ和入射光强Ｉ４的关系，并给出了随时间变化过程中光束间的能量转移现象。