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提出了一种克服外界缓变物理量（如温度）对半导体型脉冲传感器影响的电压跟随比较法，与传统的电压直接比较法相比，该方法只跟随传感器触发的正弦波原始信号的变化趋势，与外界缓变物理量温度等的变化无关；然后整形成矩形波，有铲地消除温度漂移的提高，提高了传感器的稳定性，此外，还分析了信号处理电路中各参数的选取及注意事项等。 相似文献
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利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁迭射制得的ＩｎＳｂ薄膜进行热处理，Ｘ射线衍和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为ＩｎＳｂ，Ｉｎ，Ｓｂ各相的混合物；重结晶后，基本为ＩｎＳｂ单相，ＩｎＳｂ晶粒呈规则状外形长大，热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的１．３１×１０＾４ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）提高到４．４７×１０６４ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）（热蒸镀）和２．１５×１０＾３ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）提高 相似文献
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