ZnS∶Cu，Cl，Er直流电致发光薄膜激发机制的研究

研究了ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ薄膜器件在不同宽度的矩形脉冲激发下，器件在激发期间发光的瞬态特性，提出了能量传递模型．实验曲线拟合结果表明：器件的激发过程中存在能量传递．     

铒浓度对ZnS薄膜DCEL的影响

用直接掺杂法和ＸＰＳ谱法研究ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ中铒离子的体浓度及纵向分布对器件发光的影响，测量了Ｅｒ￣３＋的￣２Ｈ＿ｌｌ／ｌ２，跃迁与温度的关系，对硫化锌薄膜器件中Ｅｒ￣３＋发光的电激发过程提出新见解．     

铒近红外发光的瞬态特性

报道了用分舟热蒸发研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光的瞬态特性,首次运用多段式指数衰减公式与高斯函数复合,描述薄膜发光的瞬态过程,理论结果与实验数据十分接近,证实薄膜的定域能级对器件的弛豫发光产生了影响．     

N－Ga_（1－x）Al_xAs的低温光伏特性

报道了Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ低温光伏的异常特性．在暗条件下降温的样品，其低温光伏的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃．这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化．     

用电子束蒸发制备硫化锌薄膜器件的绝缘层

用电子束蒸发Ｔａ＿２Ｏ＿５或Ｙ＿２Ｏ＿３膜作绝缘层制备ＺｎＳ：ＭｎＡＣＴＦＥＬ器件。比较两种类型绝缘层器件的光电特性，探讨制备低阈值电压和高亮度ＡＣＴＦＥＬ器件的途径，研究表明用电子束蒸发制备Ｔａ＿２Ｏ＿５绝缘层的器件可获得低阈值发光。