HDB3码和AMI码及它们的编码实现

AMI码作为线路编码之一，具有无直流分量和可进行差错自检等优点，AMI码的改进码HDB3码为CCITT协会所推荐的基带传输码型之一，除继承了AMI码无直流分量的优点之外，还同时避免了连续0个数超过3个，它便于提取位定时信息，是基带通讯的一种重要编码方式。     

一种苯并噻吩双膦的合成与表征

苯并噻吩及其衍生物在光电材料领域的应用受到广泛关注.本研究以苯并噻吩为原料,与NBS发生卤代反应得到2,3-二溴苯并噻吩,然后与正丁基锂、二苯基氯化膦反应生成苯并噻吩双膦配体2,3-二（二苯基膦基）苯并噻吩.用核磁共振谱(¹H、¹³C、³¹P NMR)、傅里叶变换红外光谱（FT-IR）、高分辨电喷雾质谱（HRMS-ESI）等对目标化合物进行表征,确证了结构,为后续合成苯并噻吩金属配合物发光材料提供一种新的配体.该化合物目前鲜见报道.     

浅谈3G与3G手机

3G时代来了,它将为我们的通信方式、娱乐休闲方式、日常的生活方式带来巨大的改变。下文介绍了3G和3G手机的概念、3G标准,工作频段、我国3G技术标准TD—CDMA以及3G手机运营商等。     

BiFeO3掺杂Pb（In1/2Nb1/2）O3-Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbTiO3陶瓷的制备与磁电性能研究

以固相合成法制备了铁酸铋（BiFeO₃,简称BFO）掺杂的铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅（Pb（In_1/2Nb_1/2）O₃-Pb（Mg_1/3Nb_2/3）O₃-PbTiO₃,简称PIN-PMN-PT）多铁性陶瓷材料,X射线衍射（XRD）测试结果表明：样品具有钙钛矿结构,电滞回线显示其铁电性良好,剩余极化值（P_r）可达18 μC·cm^-2.由于BiFeO₃掺杂后,样品电矩减小,氧空位增多,使其铁电畴翻转困难,样品的电性能略有下降,但是其磁性能随BiFeO₃掺入量的增加而逐渐增强,且样品居里温度（T_m）为200℃左右.该材料在电磁学领域有望成为具有应用前景的多铁性材料.