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用数值模拟方法对ＩｎＰ Ｎ＾＋／Ｐ太阳电池在ＡＭ１．０下的光谱响应和光电流进行了计算和分析，探讨引起ＩｎＰ太阳电池光谱特性曲线变化的原因，从而获得Ｎ＾＋区和Ｐ区的最佳掺杂浓度，厚度，表面复合速度等参数，为设计制造ＩｎＰ太阳电池提供参考数据。 相似文献
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