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本文讨论了In、Sn等金属作为电极进行压力接触MOS C—V测试的原理和方法,证明了氧化试片不进行背面腐蚀也能可靠地测量C—V特性.用这种方法,氧化试片出炉后只经过二十分钟的测试,即可得出介质膜中电荷密度等参数.  相似文献   
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