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利用元件容差的两个基本特性，讨论了一种Ｋ故障诊断的改进算法，该法从总体上估计容差对诊断的影响，从而削弱了容差的影响，并且采用并行处理，有效地解决了该法运算量较大的缺陷，使诊断速度大幅度提高。 相似文献
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本文提出一种带宽为400MEz的电压跟随器,它由砷化镓(GaAs)FET与硅双极型晶体管(BJT)芯片耦合制成.此探针的有效输入电容在20MHz时为10fF,40MHz时为25fF和80MHz时增加到100fF.具有这样特性的探针能满足很多MOS—VLSI故障诊断的需要。电路最佳参数的选择是借助于反复使用SPICE分析程序来完成的。文章给出了检测动态RAM位线的实例. 相似文献
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