低能质子引起的原子L壳的电离

利用270—450Kev 质子轰击 Pd、Ag、Cd、In、Ta、Au 和 Pb 厚靶、测得 L X—线产生截面,并与ECPSSR 理论作了比较.     

0.4-3.0Mev质子激发Al和Si薄靶的k-x射线研究

我们研究了能量在0.4—3.0Mev 范围的质子轰击 Al 和 Si 薄靶产生的 k 壳层 X 射线,得到了 k 壳层 X 射线产生截面以及相应的电离截面,并与 PWBA 及 ECPSSR 的预言值作了比较.     

γ射线BGO探头研制

为钢厂连铸液位监测研制了一种 BGO探头 ,它由一个 D2 5× 2 5 BGO晶体、一支 CR1 1 0光电倍增管和在探头内的电子线路构成。其工作点电压选约 90 0 V,输出脉冲幅度 1 0 V,脉冲宽度 5μs,本底计数 :5 0± 7s- 1 。用 1 .6μs V/h伽马射线照射 ,计数 :45 0± 2 1 s- 1 ,长期工作稳定 ,计数无漂移 ,具有防震、抗磁、耐高温等特点     

关于霍尔效应中的副效应及其消除方法的研究

近年来霍尔效应在研究半导体材料方面有着广泛的应用。霍尔元件的主要用途:1、测量磁场;2、测最交、直流电路中的电流强度和功率;3、转换信号,能把直流电流转换成交流电流,并对它进行调制,放大直流或交流信号等;4、对各种物理城进行四则,乘方、开方运算。在确定纯度、材料的补偿度,外延异质结材料的电学性质,高阻材料导电类型的判断及新材料的研究等方法中,都有它独特的作用。     

脉冲磁导率的测量方法与研究

本文研究了用示波器测量脉冲磁导率的原理。     

强直流双等离子体离子源

本文报导了一个强直流输出的双等离子体氢(氘)离子源.当引出电压为18kv 时,可输出100mA 的氢离子流.利用90°偏转磁分析器对引出束流的质量成分作了分析,质子比可达到64%.采用多缝探针法和离子束感光法测定了束流发射度和亮度.在输出流强为50mA,束能量为16kev 时,束流的归一化发射度(相空间面积×βΥ/π)和归一化亮度分别为0.48mm·mrad 和4.4×10~6A/cm~2·rad~2.在不同的工作参数下,测定了源的运行特性.     

用核磁共振原理测甜莱含糖量探讨

迄今为止,在测甜菜含糖量工作中,尚无一种既快速无损,方便经济,又能满足测量精度要求的方法.根据核磁共振原理,认为用核磁共振测甜菜含糖量可能是一种有效的途径.     

电磁铁两圆锥形极头间隙中磁场强度分布的研究与计算

前言众所周知,电磁铁是科研、生产和实验室里常用来产生强磁场的装置。虽然它的种类较多,但从原理上讲,电磁铁相当于一个具有气隙的铁芯线圈。     

600千伏高压倍加器的改进和应用

本文报导了我校600KV 高压倍加器的高压电源,离子源供应,离子束后传输系统的技术改造.经一多年来实际运行,通过一些植物理实验及应用研究工作,如质子—原子碰撞内壳层电离和低能量 PIXE对表面层轻元素杂质浓度分析等实验表明,该器性能稳定,运行可靠,测量结果满意.