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李谟介 《华中师范大学学报(自然科学版)》1984,(1)
本文对用气态蒸发法制备的S_nO_2薄膜进行了基本物理特性的研究。试样薄膜的厚度为5000,利用霍耳效应测定其载流子浓度为4.99×10~(20)cm~(-3),霍耳迁移率为4.26cm~2V~(-1)S~(-1),导电类型为n型,用二探针法测定其电阻率为2.9×10~(-3)Ω·cm.光学测定其透过率T(λ=0.589μm)可达85%以上。由基本特性判定出支配S_nO_2薄膜电导特性的主要因素是载流子浓度,同时说明它可以用作电视技术中的透明电极材料,也可与其它半导体材料形成异质结制作太阳能电池。 相似文献
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采用化学蒸淀法,当淀积温度为300—500℃时,SnO_2薄膜的膜电阻可低达35—45Ω/□,可见光光谱透过率可大于85%.这种薄膜的电学与光学特性,与其结晶状况有着密切的对应性,膜的结晶程度越高,其导电性越强,随着晶粒的细化,其可见光透过率则会显著地提高. 相似文献
3.
李谟介 《华中师范大学学报(自然科学版)》1986,25(2):0-0
本文对用热力学方法研究薄膜形成过程中的核生长问题提出了补充性意见.认为在论及核对扩散原子的捕获频率时,应考虑到存在着瞄准因素。 相似文献
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掺杂Sno_2薄膜研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在SnO_2薄膜的淀积过程中,适量掺F能够降低薄膜的电阻值。获得的最低膜电阻值为3.1Ω/□。重掺F还可以提高薄膜的可见光透过率。 相似文献
5.
李谟介 《华中师范大学学报(自然科学版)》1986,(4)
用复合工艺实现了玻基SnO_2薄膜与导线的高强度焊接,并同时在薄膜上制得了金属导电带。其焊接的抗拉强度可达20N/mm~2。通过EDX 分析指示出,获得高强度效果的原因是,在焊区表面的金属Ni 层下有一个膜质与基片玻璃质的共存区。 相似文献
6.
本文提出了一种以“双重滤网”手段消除用熏蒸法制备SnO_2透明导电膜时产生缺膜疵斑的方法。并研究了用这种薄膜作油膜光阀透明电极使用时的基本性能. 相似文献
7.
实验证明,将s_no_2透明导电膜应用于生物培养技术是可行的,初步试用已获得了肯定的效果。 相似文献
8.
李谟介 《华中师范大学学报(自然科学版)》1984,23(2):0-0
本文对目前在国际上已达到实用化水平和有进一步研究价值的投影电视进行了分类述评,简介了它们的技术特征发现况。特别强调了光阀类型投影电视在今后的发展优势,并与相应的国际水平比较评价了我国YWDD型油膜光阀大屏幕电视的主要特点。 相似文献
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