复合氧化物SrTiO3—TiO2氧敏材料的研究

将具有氧敏特性的ＳｒＴｉＯ３与ＴｉＯ２复合化，采用电子束蒸发方法，制备了ＳｒＴｉＯ２－ＴｉＯ２薄膜，研究了其氧敏特性。实验结果表明，复合氧化物ＳｒＴｉＯ３－ＴｉＯ２薄膜的ｎ－ｐ型转换点比ＳｒＴｉＯ３薄膜的ｎ－ｐ型转换点高，氧敏特性有所改善，从而提高了贫燃共氧灵敏度曲线的线性化。     

SnO2—ZnO二元系半导体陶瓷材料特性

报道了ＳｎＯ２－ＺｎＯ二元系半导体陶瓷体及其薄膜的制备方法，材料的电学，光学，热敏，气敏和湿敏特性，以及掺杂和热处理对材料特性的影响，ＳｎＯ２－ＺｎＯ半导体陶瓷材料有很好的稳定性，是一种多功能复合半导体材料，在光伏技术，敏感技术及仪器仪表领域有着广泛应用。     

双源真空蒸发制备CdS／CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池

用双源真空蒸发制备CdS/CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池,并对电池的性能进行测试。在AM1．5,100mW/cm^2的碘钨灯下,对1cm^2的太阳电池测得其最大转换效率为6．2％。     

真空蒸发制备（Cd,Zn）S薄膜及性能研究

用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得了透明的（Ｃｄ,Ｚｎ）Ｓ薄膜,薄膜为纤锌矿结构,具有沿〔００２〕晶向的择优生长取向．薄膜的性能随Ａ值（Ａ＝ＺｎＳＺｎＳ＋ＣｄＳ）和蒸发条件而变化,薄膜为ｎ型材料,呈高阻状态,在可见光范围内有良好的透过率     

BR-D96N光致变色特性及其光存储应用研究

研究一种生物光致变色材料--基因突变菌紫质BR-D96N,测定了它的光致变色双态吸收光谱,测出基态(B态)的吸收峰在568nm,亚稳中间态(M态)的吸收峰在411nm,两态吸收峰都可与目前的激光器波长匹配,并且两态之间的吸收峰值差别很大,光致变色效应明显.通过对样品从M态到B态的热驰豫过程中动态光谱的测定和分析,算出M态的寿命为约14min.利用该材料的光致变色特性,在BR-D96N薄膜上实现了图像光存储,所存储的图像对比度高,用普通相机在自然光下即可直接读出.结果表明,BR-D96N具有良好的热稳定性(样品使用两年以上性能没有发生明显变化)和良好的抗疲劳性(可擦重写操次数达100万次以上).     

SnO2—ZnO薄膜的热处理效应

用电子束蒸发的方法,在1.33×10~(-3)Pa的真空中蒸发SnO_2-ZnO陶瓷及掺杂荆,获得超微粒结构的SnO_2-ZnO薄膜,薄膜在氮气和氧气气氛中进行热处理。经热处理后,薄膜的结构、电学及光学性能得到改善。由这种薄膜制备的气敏元件,经掺杂和600℃热处理后,对乙醇气体有很高的灵敏度。     

厚膜ZrO2氧敏元件的制备及特性研究

本文报道了一种厚膜型ＺｒＯ＿２氧敏元件的制备工艺，研究了该元件的氧敏特性及稳定性．实验发现，该工艺制备的氧敏元件，对氧气具有较高的灵敏度和很好的选择性，且比较稳定．