Yb~+注入Si(100)所引起的晶格损伤和快速热退火后Yb的再分布及光激活规律研究

稀土元素不完全充满的4f电子壳层被它外部的5p和6s电子壳层有效地屏蔽.这一独特的电子结构使得稀土掺杂半导体材料中4f电子-声子耦合被减弱,因而稀土的发光具有锐利,热稳定性好等优点.近几年国际上已有很多关于用离子注入技术实现稀土掺杂的报道.离子注入具有掺杂浓度高,掺杂分布易于控制,可重复性好和操作简便等优点.但在     

用氮氧化物总量减排考核与评估技术方法研究

我国各种生态系统的退化现象非常严重，党和国家对生态保护和建设高度重视，中央和地方各级政府提供了大量资金用于生态环境建设。如果不能正确地进行生态保护与建设，对环境非但不能起到改善作用，反而会减低生态环境功效。在国内外很多地方，虽然林地覆盖率明显提高，其生态功能并没有提高，一些地方甚至出现了生态服务功能下降的现象。因此，有关如何评估生态效应，并以此为指标开展人工恢复植被的结构合理化及其改进研究是必须要深入探讨的问题。     

稀土Yb~＋注入硅单晶所产生非晶层的快速热退火固相外延结晶研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了３５０ｋｅｖＹｂ＋注入Ｓｉ（１００）所产生的表面非晶层在不同快速热退火温度下的固相外延结晶过程．实验结果表明，在８００℃－１０００℃的快速热退火温度下，在Ｙｂ＋射程范围以外的非晶层很容易固相外延结晶；但在同样退火温度下，在Ｙｂ＋射程分布范围内非晶层的团相外延结晶则非常缓慢．只有在退火温度高于１２００℃时，整个表面非晶层才完全消失．射程末端附近的复杂缺陷和缺陷杂质复合体是导致这两个不同结晶区域的主要原因．