稀有金属界面效应的作用机理

有关过渡金属钯、铑和稀土金属镧、钆都在Si—SiO_2界面上呈现出与金类似的负电效应的实验结果我们已作过报导,下面着重讨论一下上述杂质引起的负电效应的作用特点以及它们降低界面态的机制。就负电效应而言,钯、铑与镧、钆是相同的,但具体细节不尽相同。对于铑(钯类以),界面结合能降低的事实说明,在结构中它们容易呈现受主型局域态,表现出负电性。这需要从电中性和几何适应原则两方面看。首     

钆(Gd)在Si/SiO_2界面的电效应

最近我们发现,把 Gd 引入 Si/SiO_2界面能引起与金类似的高频和甚低频 MOSCV 曲线沿正压方向的平移。显示了界面正电荷的明显减少。图1,2分别给出了在     

金在氮化硅—硅界面的电学效应

我们研究了金在氮化硅—硅界面的电学效应及其热处理行为,并与金在二氧化硅—硅界面的情形做了比较。用能谱分析技术对氮化硅—硅结构进行了AES和XPS分析,得出了界面区域的组分、剖面分布、各组分结合能的变化及价带谱。发现自氮化硅表面直至硅侧,有N、Si、O、C、Au(扩Au片)等多种元素。在SiH_4—NH_3—N_2反应淀积的氮化硅—硅界面处存在着一个“氧包”,如图1所示,对界面性质有重要影响。同     

金与SiO_2—Si界面处结构缺陷的互作用

本文讨论了SiO_2——Si体系中各种结构缺陷的起因与特征,并详细地分析了金与SiO_2——Si界面不规则中心的互作用机理。在给出金界面效应的唯象模型的基础上予言了硅片表面质量控制及消除界西局域态的新途径。     

铂-硅系复合电极的界面反应及电特性

本文对Al-Ti-Pt-Si、Al-Mo-Pt-Si、Al-Ti-Si等电极系统薄膜间的相互扩散和反应,利用电子能谱分析、扫描电镜、电学等方法进行了全面研究,并对相应的作用机制也进行了讨论.     

过渡金属钯(Pd)对Si/SiO_2界面电特性的影响

继钆(Gd)之后,作者们发现,Pd是又一种具有特殊界面效应的金属杂质。与金(Au)、钆(Gd)类似,掺Pd后同样能引起MOS高频和准静态 C—V曲线同时沿正压方向平移。显示了Pd引入了负电荷或使原有界面正电荷减少。氧气氛下进行的不同温度退火处理的结果如图1,看出,随着温度的升高Pd电荷Qpd/q慢慢增大,约在1100℃