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运用半导体物理理论和功率器件模拟软件(SILVACO-TCAD),研究了新型宽禁带材料SiC槽栅结构IGBT功率半导体器件的电学特性,模拟了不同厚度和掺杂浓度漂移层和缓冲层的IGBT器件的阈值电压、开关特性和导通特性曲线,并分析了漂移层和缓冲层厚度及掺杂浓度对电学特性的影响。结果表明,当SiC-IGBT功率器件漂移层和缓冲层厚度分别为65 μm和2.5 μm,掺杂浓度分别为1×1015和5×1015cm-3时,得到击穿电压为3400 V,阈值电压为8 V。 相似文献
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设计了斜面结构碳化硅肖特基二极管(4H-SiC SBD)并且在器件中加入场环结构,通过基于半导体物理理论的计算机辅助设计软件(Silvaco-TCAD)分析计算了常规结构和新结构SiC-SBD器件的V-I特性、击穿电压、温度热学分布。对比计算结果,可知新结构SiC-SBD器件击穿电压提高至2300V,导通电阻减小,温度热学分布明显优于常规结构SiC-SBD器件。 相似文献
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李俊楠 《中国新技术新产品精选》2009,(18):81-81
本文从分析桩基病害的成因入手,对一些控制桩身质量病害的技术方法进行了探讨。对钻孔灌注桩常见的质量通病和影响成桩质量的原因进行分析,此外从桩质量的控制上进行阐述。 相似文献
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