n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs电池短路电流密度的理论分析

n-GaAs/p-GaAs / p-Ga_(1-x)Al_xAs异质结构背电场背反射薄层电池的短路电流密度计算结果表明:在通常情况下,要提高电池的短路电流密度,必须尽可能减小结深x_j;基区厚度H_1的变化对短路电流密度也有重要影响,在给定的基区扩散长度L_1下,H_1存在一最佳值,为了得到比较大的短路电流密度,建议x_j<0.05μm,H_1=2μm,n-GaAs区少子扩出长度L_r>x_j,L_1>2H_1。     

半导体小圆形薄片电阻率四探针测量的修正因子

本文推导了任意形状排列四探针测量小圆形薄片电阻率时同时考虑厚度和半径影响的修正因子表达式:作为特例,计算了直线和方形两种常用的探针排列情况下的修正因子,并用直线四探针对硅单晶片进行实验测量.结果表明所推导的公式可较准确地测量任意厚度小圆形薄片的电阻率.     

n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs背反射簿层电池光谱响应的理论分析

n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs 异质结构背电场背反射簿层电池的光谱响应的计算结果表明:结深x_j对光谱响应有重要的影响,尤其是短波;基区厚度H_2的变化对长波光谱响应也非常敏感,存在一最佳的基区厚度值;比较理想的电池结构参数是:x_j<0.05μm,n型表面区扩散长度L_?>x_j,基区扩散长度 L_1>2H_1。     

阻尼最小二乘法的一种改进

一、基本思想与算法高斯·牛顿法迭代时确定增量Δ_1(i=1,2,…,m)的线性代数方程组为     

四探针测量任意方形样品电阻率的修正因子

采用三维无限电像分布,推导了?点接触、任意形状排列探针测量任意大小方形样品电阻率的普遍表达式,作为特例,计算了点接触直线四探针的修正因子,并与实验比较,结果表明所推导的公式可准确计算任意大小方形材料的电阻率;当样品边界与探针的距离都大于探针间距四倍时,可近似看作半无穷大样品。