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1.
利用辐射谱线经电离气体后的吸收,可以确定不同直径的低气压Ar-Hg放电正柱中Hg6~1P_1态的浓度.本文选用了576.96nm(6~3D_2→6~1P_1)及579.07nm(6~1D_2→6~1P_1)两辐射线,各自测得Hg6~1P_1态浓度,结果符合较好.由测得的Hg6~1P_1态浓度数据,用光子扩散理论公式计算了这些不同直径的低气压Ar-Hg放电正柱内表面的185.0nm辐照度.结果表明直径10mm的细管Ar-Hg放电中的185.0nm表面辐照度比直径36mm的要高一个数量级以上,此结果解释了为什么紧凑型荧光灯(内径为10mm)必须采用耐185.0nm辐射的荧光粉.  相似文献   
2.
T8荧光灯是一种高效节能照明光源,但在不环境温过低,放电电流太小时,它常常条纹电,对照明造很成大干扰。研究条纹放电的成因和特性是解决这一问题的先决条件。首先从放电等离子体的基本方程出发,求得非均匀等离子体正柱中的色散关系;由此通过计算得到条纹放电形成条件,条纹放电的频率、相速度和时间增长率等主要参数。  相似文献   
3.
介绍了基于介质阻挡放电的氯化氪(KrCl*)准分子灯的光谱、输入功率以及222 nm的辐射效率.KrCl*准分子灯为同轴结构,内管和外管的内/外径分别为14/16,37.6/40 mm.灯内总气压为200 hPa,其中含2 hPa氯气和198 hPa氪气.KrCl*准分子灯由正弦电源驱动.测定辐照度后,通过Keitz公式计算222 nm的辐射功率,而灯的功率则通过示波器结合高压探头和电流互感器来测量.结果表明,KrCl*准分子灯在正弦电源频率48.4 kHz,输入功率150 W时222 nm辐射的最佳效率为5.3%.  相似文献   
4.
氘离子源的等离子体特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用发射光谱法研究了真空放电氘离子原源的等离子体性质。此等离子体处在钛空心阴极之中,是在真空放电时,由钛阴极释放出的氘和钛蒸气被分电离而形成的。实验测定了氘原子巴尔末谱线系中前三条谱线的强度。  相似文献   
5.
报道了一种光谱连续的真空紫外辐射源的设计和特性研究。为提高其辐射强度,辐射源设计在高气压、短脉冲状态工作。实验测得当充氢0.2~0.9MPa、极距0.4~0.8mm时,辐射源击穿电压为4~10kV,脉冲宽度1.2~2.2×10-7s.与充氢压强、极间距有关,用Meek的击穿判据,理论计算了击穿电压,用放电通道膨胀理论,计算了放电脉冲宽度,发现两者都与实验基本相符。真空紫外辐射源的轴向光谱辐亮度,用一事先标定好的真空紫外光谱探测系统测量,其连续光谱辐射主要在140~160nm和175~200nm两个区间,来源于氢分子辐射,其最大积分轴向辐亮度可达11mW/Sr·cm2。  相似文献   
6.
7.
平面型氙准分子灯特性及其在降解水相枣红中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了平面型氙准分子灯的真空紫外(VUV)辐射特性,电源电压、频率和充气压强对辐射强度和效率均有影响.研究表明在正弦电压驱动下,充气压3×104Pa左右时有最佳辐射强度和效率.在本实验中用于水处理实验的氙准分子灯参数为电压4kV,频率20kHz,气压3.8×104Pa,对应的辐射功率为25.4mW(光子流量2.2×10-6einstein·min-1).选用偶氮类染料枣红作为被分解物质,发现氙准分子灯的172nm辐射能够有效地使枣红解离,解离反应呈准一级反应,解离速率为9.28×10-8mol·min-1,光量子产额4.2×10-2mol·einstein-1.有机物初始浓度、溶液pH值、光强等都会对解离率产生影响.在氙准分子灯和反应溶液不直接接触时,发现解离率和COD(化学需氧量)去除率并不一直随着光强增加而增大,而有一最佳值.  相似文献   
8.
低气压Ar-Hg放电是最常见的一种放电,在适当的放电条件下,可以把60%以上的输入电能转换为2537A紫外辐射.它已被广泛地用作紫外光源.如果在放电灯管内壁涂以荧光粉,使紫外线转变为可见光,就成了我们熟知的荧光灯.对内径为36mm的粗管Ar-Hg放电等离子体,其特性已比较清楚,但对细管Ar-Hg放电(例如内径在14mm以下)则了解得还很不充分.近年来,由于各种可能的实际应用(如节能的紧凑型荧光灯、等离子体显示器),人们对这类细管Ar-Hg放电发生了浓厚的兴趣.为了对放电物理过程有一个比较完整的了解,我们需要知道Hg原子在各激发态的浓度分布.  相似文献   
9.
条纹放电光谱及其等离子体特性   总被引:5,自引:1,他引:4  
实验研究了条纹放电的明条纹和暗条纹中汞原子的谱线强度,然后建立汞原子放电的八能级模型,从求解速率方程得到条纹中各种粒子的浓度和电子温度,从而求得了汞可见谱线强度,计算结果和实验符合较好,计算还表明暗纹之间的电子温度判别较大,在明条纹中Tc=153000K,暗条级中Tc=14400K,条纹的明暗判别主要是电子温度不同造成的。  相似文献   
10.
120—200nmVUV光谱辐射探测系统的强度定标   总被引:1,自引:1,他引:0  
  相似文献   
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