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对直流磁控溅射方法制备Fe—Si化合物的工艺过程进行了研究.首先通过改变溅射气压,溅射功率和Ar气流量,在Si(100)衬底上沉积约100nm纯金属Fe膜,随后在真空退火炉中800℃长时间退火形成Fe—si化合物.由X射线衍射(XRD)对所形成的Fe—Si化合物的物相和晶体结构进行分析,给出了一组最优化的溅射工艺参数:溅射Ar气压1.5Pa,溅射功率100W,溅射Ar气流量20SCCM. 相似文献
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磁光记录介质非晶稀土-过渡金属合金TbFeCo薄膜覆盖Ag保护层可减小稀土元素的氧化且能增强其磁光克尔效应。利用直流磁控溅射法制备出Ag/TbFeCo/Si(100)磁光薄膜,利用可变入射角椭圆偏振光谱仪测量了其可见光区的光学常数,给出薄膜介电函数实部和虚部随入射光子能量的变化规律,同时把Ag/Si、Ag/TbFeCo/Si和TbFeCo/Si的光谱进行了比较。实验结果与经典的Drude模型相一致,而且Ag/TbFeCo/Si的光谱更接近Ag。不同厚度Ag/TbFeCo/Si薄膜其光学参数变化趋势相同,且随Ag厚度的增加变化幅度减小。 相似文献
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