超声焊接的研究和工艺模型

为了能进行超声焊接工艺的线检测，必须了解超声焊接的机制。本文对这个问题作了研究。在本实验所用的焊机中，用一块压电晶体作为换能器产生超声振动。在通常的焊接过程中，研究了换能器驱动信号和从机械振动测出的信号这二者的变动情况，同时还研究了这二种信号的各次谐波信号。     

用电荷抽取效应测定MOS晶体管中的少子复合寿命

本文介绍了应用电荷抽取效应测量MOS晶体管中少子复合寿命的方法.这种方法的优点是可以测定经过整个制造工艺过程后MOS晶体管中的少子体复合寿命和表面复合寿命,而且测试设备和数据处理都比较简单.文中给出了我们在室温和液氮温度下的初步测量结果,并对结果和方法本身进行了一些讨论.     

用于MOS功率集成电路的VVMOS和NMOS相容技术研究

本文介绍了VVMOSFET和NMOSFET单片集成时阈值电压容差的理论估算和工艺试验结果,二者符合得较好.结果指出,即使用常规工艺制造技术把VVMOS功率晶体管相容集成到NMOS电路中去亦是可能的.     

金属氧化物半导体SnO_x薄膜对NO_x气体敏感性能研究

本文研究了用PECVD方法制备的SnO_∞薄膜对NO_2气体的敏感特性。控制薄膜厚度和化学成份可以获得对NO_2气体的高探测灵敏度和快动态响应。工作温度比体型低得多。此外,本文还阐述了SnO_∞薄膜的敏感机制。     

V形槽壁热氧化膜质量的检测

用液晶显示、自愈合介质击穿和C-V测试等技术对V形槽壁上热生长二氧化硅膜进行了质量检测.检测结果表明,只要采用恰当的工艺,V形槽腐蚀并不伤害槽壁上热生长的二氧化硅膜.     

界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响

在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效降低了界面的接触势垒高度 ,使电子容易从衬底进入到AD薄膜中去 ,从而显著改善了AD薄膜的电子场发射性能 .在电场强度E =1 9 7V/ μm时 ,获得的电子场发射电流密度为 0 35 2mA/cm2 ,大大高于同场强下AD/Au/Si和Au/Si的数值 .     

硅的等离子阳极氧化研究

等离子阳极化是一种先进的半导体材料氧化技术,本文评论了目前国际上等离子阳极化技术的进展,报告了我们自己的独创工作。说明了本技术用于半导体器件加工的优点与主要困难。文中较详细地说明了我们自己发展的一种射频激励的直流放电模式及根据它设计的设备。利用这种设备成功地进行了等离子阴极化,并将这种氧化物用于MOSFET的栅区。     

外加直流电场对PdSnOx MIS型氧探测器氧吸附行为影响的研究

研制成了一种新型的Pd-SnOx MIS结构型氧探测器。这种探测器能在室温下探测小于0.1乇的氧分压。本文简扼报告了这种器件的结构、制造工艺和氧吸附与消吸附特性,着重阐述外加直流偏压对器件氧吸附行为的影响。实验结果表明:在实验氧分压范围内,正向直流偏压会抑制器件的氧吸附响应,负向直流偏压会增加器件氧吸附响应。文中还对这种电吸附行为进行了讨论。     

硅的等离子阳极氧化研究

等离子阳极化是一种先进的半导体材料氧化技术,本文评论了目前国际上等离子阳极化技术的进展,报告了我们自己的独创工作.说明了本技术用于半导体器件加工的优点与主要困难.文中较详细地说明了我们自己发展的一种射频激励的直流放电模式及根据它设计的设备.利用这种设备成功地进行了等离子阴极化,并将这种氧化物用于MOSFET的栅区.