MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。     

MOCVD生长高铝值Al_xGaAs(x≥0.7)中的碳掺杂

报道了ＭＯＣＶＤ生长的高铝值ＡｌｘＧａＡｓ（ｘ≥０．７）中的非故意碳掺杂．实验研究了Ⅴ／Ⅲ比、生长温度、生长压力、生长速率对载流子浓度的影响，实验发现：碳掺杂主要取决于Ⅴ／Ⅲ比、生长压力、生长速率．在６５０℃到７６０℃之间，生长温度对碳掺杂没有太大影响．     

GaP/桑色素纳米复合材料自组织形态与桑色素浓度的关系

采用超声波辐射法制备了不同桑色素量的GaP／桑色素纳米复合材料， 研究了其形态及可能的形成机理，实验结果表明，GaP纳米晶和桑色素形成了复合结构，并且随着桑色素溶液（浓度为0．01mol/L）的体积10ml增加到30ml，复合材料的形貌也相应地经历了从薄片状到长链状再到网状一系列的变化，利用这种现象，可以通过调整桑色素与GaP纳米晶的比例来控制复合材料的形貌，从而进一步控制它的性能。     

应大力发展SiC半导体器件

第lO届SiC及其相关材料国际会议于2003年10月5～10日在法国里昂国际会议中心召开(http：//ieserm2003．inpg．fr／)，与会代表多达500余人，其中美国和日本各有100余人，其余大部分来自欧洲，山东大学晶体材料研究所派代表参加了会议。会议接收论文400余篇，其中特邀报告30篇，口头报告