我国发现元古代变质水下喷发碳酸熔岩

1 地质产出 已发现的元古代变质水下喷发碳酸熔岩位于滇中武定西矿带观天厂区段(相当于中元古代昆阳裂谷中段武定海盆之西缘),赋存于昆阳群因民组顶部至落雪组下部,分布于观天厂环形构造内已发现的火山机构外侧核桃箐、大箐、观天、老呜哨等地(图1(a))。在火山斜坡熔岩的厚度只有十余米,而在洼地其厚度超过150 m,上、下整合于海相沉积地层,如叠层石白云岩、白云岩、层火山碎屑岩中,横向上消失于层凝灰岩中(图1(b))。     

滇中昆阳裂谷中段含矿白云石岩的交代地幔碳酸质岩浆喷发证据

滇中扬子地台西缘昆阳裂谷是我国罕见的前寒武Fe—Cu成矿带．武定—禄丰盆地正处于该裂谷中段之西侧,是矿带的重要组成部分．其中,有大量容矿岩石是中元古代白云石岩,并受环形断裂系统基底构造控制．许多白云石岩含有丰富的硅酸盐矿物,可见长石斑晶,针状磷灰石,以及微气孔,结壳,流线,流面和火山碎屑构造和熔融包裹体及高温流体包裹体．它们不可能是沉积白云岩,大理岩或者热液碳酸盐岩．岩石的Zr／Hf和Nb／Ta比值与共生幔源岩浆岩的一致,但值域围绕地幔值离散分布．白云石单矿物的δ^18OSMOW‰值为5．99—18．4,δ^13CPDB‰值为-3．01—0．94,都包含在世界碳酸质火山岩的变化范围内．副矿物磁铁矿的δ^18OSMOW‰值为3．47—5．99％。,与地幔源磁铁矿的（〈5．7％）一致．硫化物的δ^34S‰值为-5．09—5．78,与幔源岩浆岩硫化物的一致,中心值＋1．50接近陨石硫．含矿白云石岩全岩的εNd值为0．19—2．27,计算的ISr=0．699143和0．70214,而共生幔源岩石的εNd值为3．18—3．72．所有证据证明上述矿物都是地幔岩浆成因,含矿白云石岩不仅是火成的,而且是交代型幔源的．针状磷灰石标志着岩石是岩浆快速冷凝形成的．而上述岩相学特征表明该火成活动是喷出的．因此,含矿白云石岩是碳酸质火山岩,赋存其中的铁铜矿床应该是碳酸岩型矿床．     

特殊形貌纳米氧化锌的吸波性能研究

纳米ZnO作为一种新型吸波材料受到广泛关注,但对非c轴生长的ZnO纳米结构材料的吸波性能还缺乏系统研究.为了探讨ZnO纳米晶体的形貌对其吸波性能的影响,在熔盐、类离子液体等强极性介质中,合成了枝晶状、片状、锥状等非c轴生长的ZnO纳米结构材料,用XRD、SEM、TEM等对其物相、形貌进行了表征,对不同形貌的ZnO纳米结构材料的电磁性能与吸波性能进行了系统的分析,并与商品ZnO微粉的吸波性能进行了比较.结果表明,ZnO纳米片的吸波效果较好.复合了磁性材料后,ZnO的吸波性能有明显提高.     

沉淀法制备氧化铝的相变过程

为获得沉淀法制备氧化铝的相变过程及微观形貌,将NaOH溶液与AlCl3溶液混合,在pH值6～9内,制备三羟铝石,将其加热到1 200℃获得了氧化铝粉体。经TG-DTA、XRD、FTIR光谱、SEM等测试手段分析,300℃煅烧后获得了单水铝石,然后依次获得γ-Al2O3、δ-Al2O3、θ-Al2O3过渡相,并且在1200℃煅烧后获得了纯相α-Al2O3。TG-DTA表征,粉体在273℃脱水显著,在1000℃后θ-Al2O3向α-Al2O3形核并长大,需要较大激化能而放热,1 200℃煅烧后FTIR透过光谱表征α-Al2O3的典型的AlO6八面体结构引发形成640～590 cm^-1的两个吸收峰。制备的三羟铝石呈亚微米的团絮状,而纯相α-Al2O3呈现亚微米的聚集体颗粒形貌。这为改进陶瓷性能提供工艺参数依据。     

Ti—TiC激光熔覆层的形成及其表征

为分析激光熔覆法制备TiC／Ti复合材料显微形貌的成因,对功率密度为21．2kW／cm^2、扫描速度15mm／s的CO2激光作用下的Ti-6A1—4V合金表面进行了Ti＋TiC激光熔覆实验,并对其熔覆层温度波动进行了分析。采用XRD、SEM对Ti-4-TiC熔覆层进行表征,并测定熔覆层的显微维氏硬度。分析表明：用激光熔覆制备TiC／Ti复合材料时,熔覆层在数毫秒内熔化,并以约10^4℃／s速率初始冷却。熔覆层的维氏硬度高达10．8GPa,Ti填充杂乱的TiC枝晶间。熔覆层与基体具有良好的冶金结合,且热影响区厚度与经验计算值相近。     

后摩尔时代晶体管：新兴材料与尺寸极限

在后摩尔时代，大规模半导体集成电路对功耗和集成密度的要求使得晶体管器件的开发需要在“材料、制程、结构”三个维度同步推进。文章详细梳理了近年来涌现的新兴低维半导体材料及异质结构，包括碳纳米管、过渡族金属硫属化合物、黑磷、碲烯和一维/二维范德华异质结等，并对其电学物理特性进行了深入的讨论，同时总结了这些材料在14 nm工艺节点以下超短沟道晶体管和新结构晶体管器件方面的最新进展，最后从材料角度对半导体逻辑器件的进一步发展指出方向。