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NSRL光电子能谱实验控制软件设计及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍一种同步辐射光电子能谱实验的软件.软件对光束线的控制由罗兰圆模式改为DRAGON模式[1],光通过率提高2~3倍.软件不仅可以做以X射线枪为激发源的X射线激发谱(XPS),还可以做以同步辐射光为激发源的能量分布曲线谱(EDC)、固定终态谱(CFS)和固定初态谱(CIS).软件使用图形的菜单界面,可视化操作,运行稳定,满足科学实验的要求 相似文献
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利用从头计算的全势缀加平面波理论方法研究了3C-SiC的能带结构和基本的光学函数,得到了Si、C分波态密度和能带结构.介电函数的虚部由能带结构的计算直接得到.经带隙校正后,由Kramers—Kronic(K—K)色散关系计算了介电函数的实部.由得到的介电函数计算了折射率、消光系数和反射率.经比较,计算的结果与已有的实验数据基本相符. 相似文献
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利用荧光X射线吸收精细结构(X-ray absorption fine structure,XAFS)方法研究了分子束外延生长的自组装Ge/Si(001)量子点的扩散效应.原子力显微镜结果表明,在550℃的生长温度下形成了面密度为5.2×10^11 cm^-2的高密度小尺寸量子点.XAFS结果表明,生长的Ge量子点样品覆盖Si层后在550℃温度退火,对Ge/Si之间的热扩散混合的影响较小.随着退火温度升高到800℃,Ge原子的第一近邻配位壳层中的Ge-Si配位的无序度由4.0×10^-5 nm^2降低到2.9×10^-5 nm^2,配位数由3.3升高到3.8,这表明Ge量子点样品中的Ge原子的近邻主要为Si配位原子,高温退火显著增加了Ge原子在Si层中的扩散. 相似文献
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利用同步辐射角分辨光电子能谱(angle-resolved photoeletron spectroscopy,ARPES)并结合全势缀加平面波(full potential linearized augmented plane waves,FPLAPW)理论计算方法研究了ZnO(000(-1))表面的价带电子结构及能带色散.通过垂直出射的ARPES得到ZnO体态沿ΓA方向的能带结构并确定了两个表面态,实验结果与理论计算结果较为一致.利用非垂直出射的ARPES得到这两个表面态沿(-Γ)(-KM)方向的二维能带色散. 相似文献
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CoFe合金由于具有高饱和磁化强度、高居里温度和低矫顽力等特性备受人们关注, 研究合金中高饱和磁化强度的来源在实验上具有重要的意义. 利用X射线磁性圆二色性技术(XMCD)结合常规的磁测试手段对磁控溅射法制备的Co0.9Fe0.1合金薄膜进行研究, 利用加和定则得到Co的自旋(spin)磁矩和轨道(orbit)磁矩分别为1.58和0.31 mB, Fe的自旋磁矩和轨道磁矩分别为1.63和0.36 μB, , 由此得到合金的平均原子磁矩为1.90 μB, 这一结果与用SQUID磁强计测得的合金平均原子磁矩1.82 μB基本相符; Fe和Co对样品的磁化强度的贡献比例为10.5︰89.5, 总的自旋磁矩和轨道磁矩对磁化强度的贡献为83.4︰16.6; 把自旋磁矩和轨道磁矩分开则有mFe-spin︰mFe-orbit︰mCo-spin︰mCo-orbit = 8.6︰1.9︰74.8︰14.7. 相似文献
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用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ge和Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响.实验表明,价带偏移(ΔEv)与夹层厚度有关.0.5MLCs和1MLNa可使Ge/InP(100)及Ge/GaAs(100)的ΔEv的值分别增加0.20eV和0.18eV.碱金属与衬底相互作用而引起的界面偶极矩的改变是导致ΔEv改变的主要原因. 相似文献
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应用同步辐射 (h ν =100 eV)和XPS研究了稀土金属Gd室温下在清洁的Ni(110 )表面上的生长过程 .发现了随着Gd膜厚度的增加 ,Gd(4f)谱带由位于 8 5eV的单峰向位于 8 5和 10 8eV的双峰结构转变 .Gd(4d)峰亦有类似的结果 .该表面在 6 0 0K高温退火引起了Gd 4f和 4d双峰中的高结合能峰的强烈衰减和消失 .对室温下Gd在Ni(110 )面上的生长模式及在高覆盖度时生成的Gd 4f和 4d高结合能峰的本质进行了讨论. 相似文献
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在硅衬底下,用等离子辉光放电的方法制备了一组衬底温度为20℃、100℃、200℃和280℃的样品。在光电子能谱仪中测量了它们在HeⅠ(21.2eV)激发下的UPS谱。此外还测量了衬底为常温的样品在退火温度为200℃、350℃、500℃、700℃和800℃时的UPS谱。实验结果表明,衬底温度在200℃至280℃时,金刚石成分略有增加,当退火温度低于350℃时,金刚石成分有所增加,但高于350℃后,迅速向石墨方向转化。本文对实验结果进行了讨论,认为氢在其中起了重要作用。 相似文献
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利用同步辐射角分辨光电子能谱(angle-resolved photoeletron spectroscopy,ARPES)并结合全势缀加平面波(full potential linearized augmented plane waves, FPLAPW)理论计算方法研究了ZnO(0001^-)表面的价带电子结构及能带色散.通过垂直出射的ARPES得到ZnO体态沿ГA方向的能带结构并确定了两个表面态,实验结果与理论计算结果较为一致.利用非垂直出射的ARPES得到这两个表面态沿Г^- KM^-方向的二维能带色散. 相似文献
10.
测量了室温下KNd_(0.9)La_(0.1)P_4O_(12)中Nd~(3+)离子的吸收谱。应用Judd-ofelt(J—O)理论得到三个强度参数Ω_λ。计算了始于~4F_(3/2)的辐射跃迁几率及激发态吸收线强。讨论了该晶体中Nd~(3+)离子光谱的性质。 相似文献