感应加热线圈对PVT法生长大直径SiC晶体的影响

采用有限元分析法,系统地研究了用PVT法制备大尺寸SiC晶体生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对晶体生长温度场的影响;获取了通过增大线圈匝间距和适当提高线圈高度可使系统加热效率降低、晶体生长速率减小,但同时却有利于SiC粉料有效升华的结论。此结论同样适用于AlN、GaN等半导体材料的制备。