T8荧光灯中的条纹放电研究

Ｔ８荧光灯是一种高效节能照明光源,但在不环境温过低,放电电流太小时,它常常条纹电,对照明造很成大干扰。研究条纹放电的成因和特性是解决这一问题的先决条件。首先从放电等离子体的基本方程出发,求得非均匀等离子体正柱中的色散关系;由此通过计算得到条纹放电形成条件,条纹放电的频率、相速度和时间增长率等主要参数。     

正弦电源驱动下氯化氪准分子灯的特性研究

介绍了基于介质阻挡放电的氯化氪(KrCl*)准分子灯的光谱、输入功率以及222 nm的辐射效率.KrCl*准分子灯为同轴结构,内管和外管的内/外径分别为14/16,37.6/40 mm.灯内总气压为200 hPa,其中含2 hPa氯气和198 hPa氪气.KrCl*准分子灯由正弦电源驱动.测定辐照度后,通过Keitz公式计算222 nm的辐射功率,而灯的功率则通过示波器结合高压探头和电流互感器来测量.结果表明,KrCl*准分子灯在正弦电源频率48.4 kHz,输入功率150 W时222 nm辐射的最佳效率为5.3%.     

条纹放电光谱及其等离子体特性

实验研究了条纹放电的明条纹和暗条纹中汞原子的谱线强度,然后建立汞原子放电的八能级模型,从求解速率方程得到条纹中各种粒子的浓度和电子温度,从而求得了汞可见谱线强度,计算结果和实验符合较好,计算还表明暗纹之间的电子温度判别较大,在明条纹中Tc=153000K,暗条级中Tc=14400K,条纹的明暗判别主要是电子温度不同造成的。     

用发射光谱研究荧光灯阴极区中的钡浓度

应用发射光谱技术研究了T12荧光灯阴极电子发射材料钡的损失，实验测定了阴极区中钡原子553．6和钡离子455．4，493．4nm谱线的辐亮度，由此得到钡原子6p^1P1、钡离子6^2P3／2和6^2P1／2态浓度的轴向分布。理论上，由包含9个原子能级和5个离子能级的阴极区钡放电的速率方程，计算出了这些能级上钡粒子的浓度，实验和理论计算符合较好。结果表明，在阴极区钡离子浓度比钡原子浓度大，离阴极2mm处钡的总浓度为10^15m^-3量级。     

低气压Ar-Hg放电中的185 nm辐射

185nm辐射在污染处理中有许多潜在的应用．用模型计算了内径分别为36,24,13,9．5mm的放电管中,低气压Ar-Hg放电的185nm辐射功率和Hg(6^1P1)能级浓度随电流和管壁温度的变化,与己有的实验值符合较好,结果表明,要提高185nm辐射效率,需采用细管径放电管并在较大电流和较高管壁温度下工作．在此基础上设计、制作了内径13mm放电管,测量了185,254nm的绝对辐射功率．测得在电流543mA、管壁温度45℃时,185nm与254nm辐射的功率之比为0．28．讨论了测量的误差来源。     

T2低气压Ar-Hg放电正柱的电场和254 nm辐射

通过测量外径7 mm的T2低气压Ar-Hg放电灯的电场强度和254 nm辐射强度随放电管冷端温度和放电电流的变化,发现最佳冷端温度在45~50℃之间,且随着电流增加最佳冷端温度有所降低.在电流>125 mA,正柱输入功率>35 W.m-1时,正柱的254 nm辐射强度出现饱和现象.在大电流、高冷端温度条件下,T2灯的负阻特性没有粗管灯明显.     

计及化学电离和非Maxwell电子能量分布的低气压Ar-Hg放电正柱模型

在已有的Ar-Hg放电模型的基础上，细致考虑了Hg激发态之间的化学电离，采用Lagusbenko分布来取代Maxwell电子能量分布，计算了内直径10、14、24和36mm的低气压价Ar-Hg放电正柱的辐射功率、电场强度、电子温度、电子浓度和激发态浓度随放电电流和管壁温度的变化．模型预言与实验测量符合得较好，可用于优化荧光灯设计．     

Ar气压对T2低气压Ar-Hg放电正柱主要谱线辐射效率的影响

用氘灯辐射亮度标准标定了内/外径5.4/7 mm的T2低气压(267~1 333 Pa)Ar-Hg放电灯在冷端温度50℃和放电电流100 mA时,其辐射的10条Hg谱线(254~579 nm)的辐射亮度,并利用Koedam系数计算了其辐射效率.结果表明,在该工作条件下,T2灯的放电正柱254 nm的辐射亮度在Ar气压为667 Pa时达到最大,辐射效率约为53.5%.其他9条谱线辐射亮度达到最大的Ar气最佳气压为400 Pa,但其辐射功率远比254 nm时低.     

Ne-Ar缓冲气体对T6大功率低压汞灯254nm紫外辐射效率的影响

使用Keitz方法测量了填充133～1333Pa Ne-Ar混合缓冲气体与纯Ar缓冲气体的大功率低压汞灯的紫外和可见辐射功率,得到了灯的输入功率和254nm紫外辐射效率随冷端温度、放电电流、缓冲气体种类和气压的变化关系.实验结果表明,填充Ne-Ar混合缓冲气体灯的输入功率比纯Ar缓冲气体灯高50 W/m,能够提供更高的紫外辐射功率,冷端温度在45～48℃时254nm辐射效率最高,达到40%以上,其辐射效率随电流增加和缓冲气体气压增大而降低,而汞的其他谱线(265～579nm)在不同的放电条件下的辐射效率之和低于10%.