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1996年
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1993年
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1
1.
超突变结变容管C-V曲线拐点存在条件的研究
朱长纯
吴春瑜
张九惠
《西安交通大学学报》
1996,(6)
根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程,对电容变化比较大时变容管的C-V曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究,得出了产生拐点的条件,从而给出了理论上的解释.
相似文献
2.
用深能级瞬态谱技术研究MOS结构界面态的分布
沈桂芬
高嵩
王正荣
张九惠
《辽宁大学学报(自然科学版)》
1993,(2)
本文简述了深能级瞬态谱技术测量界面态分布的基本原理。在大量实验基础上给出典型MOS结构界面态分布的测试曲线与数据,对实验结果进行了有价值的分析。
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