排序方式: 共有25条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
庄志强 《华南理工大学学报(自然科学版)》1983,(1)
本文介绍几种利用显示仪器直接观察铁电电滞回线的电路和方法。重点讨论了“电压比较法”的基本原理。在该分析的基础上,作者指出,由于铁电样品的非线性电阻R_1(E)所造成的附加相位差,致使电滞回线的各处畸变,使直接显示回线的畸变不可克服。文中同时指出,真实铁电电滞回线可以通过逐点补偿技术或数值分析法,逐点描绘出来。 相似文献
2.
庄志强 《华南理工大学学报(自然科学版)》1989,17(1):1-8
本文通过热力学自由能函数说明了电致伸缩效应唯象理论及其在各向异性强非线性铁电晶体中的应用。实验发现,菱方相纯PZT陶瓷组分的主要场诱应变效应是电致伸缩效应,可用x—P关系的二次方律来描述。但相界附近的四方相PZT陶瓷组分和PLZT组分,压电效应分量明显增大,其电致伸缩效应已呈现明显的四次方效应。可以预期,PZST系统的主要机电耦合效应是电致伸缩效应,其电场诱导应变是极化强度的高偶次方函数。 相似文献
3.
La掺杂BaTiO3陶瓷的制备与性质(Ⅰ)--非均匀形核表面淀积包覆法 总被引:1,自引:0,他引:1
以La(NO3)3为La源,采用非均匀形核淀积法在水热法合成的BaTiO3粉体表面包覆La(OH)3.根据溶度积理论计算非均匀形核淀积包覆工艺的pH值,并通过控制溶液的pH值,获得化学计量配比(Ba1-3x/2/Lax)TiO3的La表面包覆BaTiO3粉体和陶瓷.文中讨论了La包覆量对已包覆了SiO3的BaTiO3粉体的烧结特性、相结构、陶瓷电阻率、介电系数-温度特性的影响.实验结果表明:采用非均匀形核淀积包覆方法,容易获得均相、化学计量比的La改性BaTiO3陶瓷;随着La2O3掺杂量的增加,BaTiO3陶瓷的居里温度向低温方向移动,居里温度与La2O3掺杂量之间呈线性关系;而使BaTiO3陶瓷半导化所需要的La的掺杂量较采用氧化物固相反应法的高。 相似文献
4.
庄志强 《华南理工大学学报(自然科学版)》1990,18(4):17-23
本文研究了用共沉淀技术制备的PZT四种菱方相组分的均匀单相多晶体的介电特性和热释电特性。实验发现。菱方—菱方相变点的极化强度的异常变化是材料组成的函数。从组成PZT90/10和PZT94/6多晶体样品上可观察到介电系数、极化强度和热释电系数随温度发生的异常变化。但对于菱方组分PZT60/40和70/30却只能观察到热释电性质的异常变化。该二组分多晶体的相转变温度范围十分宽。文中引进铁电唯象理论描述了F_(R(LT))—F_(R(HT))相变行为。 相似文献
5.
论述了从塞拉利昂不同地区采集的6个粘土试样的一些物理性能,这些物理性能与无釉烧结地砖的耐压强度有一定的关系。由相关系数可知,烧结温度是控制地砖强度的主要因素,虽然粘土的粒度分布与地砖强度之间无明显关系,但过多添加砂子会降低砖的强度,而适当的粘土和淤泥则提高砖的强度。高塑性有降低砖强度的作用,体积密度和气孔率对强度有相反的影响,前者能提高强度,而后者则会降低砖的强度。 相似文献
6.
7.
由于课程设置而产生的中学英语继续教育的效用丧失问题不容忽视.中学英语继续教育课程设置应注重针对性、多样性、可持续性以及创新性. 相似文献
8.
为实现改性杂质与钛酸钡粉体的均匀混合,达到对材料微结构、相结构和电学特性的准确控制,对水热纳米晶钛酸钡粉体进行了改性杂质的非均匀形核表面淀积包覆.文中利用包覆Y(OH),后的钛酸钡粉体在水中的毛细管浸润性得到改善、以及两种工艺方法制备的粉体在液一固分离离心过程中离心转速对液一固分离率的影响,判断Y(OH),对钛酸钡粉体的包覆效果;探讨了掺杂工艺对Y掺杂钛酸钡陶瓷半导化和室温电阻率的影响,以及用非均匀形核表面淀积包覆工艺制备的陶瓷PTCR和细晶介质陶瓷的性质.润湿性实验显示,利用表面淀积包覆工艺确实能获得良好的包覆效果. 相似文献
9.
软段PEG含量对水性聚氨酯涂膜结晶性的影响 总被引:5,自引:1,他引:4
合成了系列水性聚氨酯分散液,就分子链软段中亲水性链段聚乙二醇(PEG)含量对聚氨酯涂膜结晶性的影响进行了探讨。结果表明,水性聚氨酯膜中存在三种结晶微区,每一结晶微区熔融温度均随PEG含量的变化而变化,且软段结晶形态与PEG,聚己二酸丁二醇酯二醇(PTAd)结晶形态相同,晶胞参数随PEG含量的增加而增大,但较PEG和PTAd为小。 相似文献
10.
以可溶性无机盐为原料,乙二氨四乙酸、柠檬酸、酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用溶胶-凝胶法在Al2O3基片上制备了钙钛矿结构的BaPbO3导电薄膜.利用X射线衍射和能量散射X射线能谱表征方法,并结合薄膜方块电阻的测定,探讨了热处理方式和热处理温度对薄膜化学组成及薄膜电阻的影响.研究表明,与常规热处理技术相比,采用快速热处理工艺制备BaPbO3薄膜需要更高的热处理温度,同时,随着热处理温度的升高,薄膜中的Pb/Ba摩尔比下降,导致薄膜方块电阻上升.采用常规热处理方法,在670℃下保温10min可以制备膜厚约2.5μm、薄膜方块电阻为32Ω/□的BaPbO3薄膜. 相似文献