一种运动目标提取方法及其应用

介绍了一种利用高阶统计量(higherorderstatistics,HOS)提取视频序列中运动目标的新方法,并将其应用到人脸识别技术中。利用HOS对高斯噪声的不敏感性分离运动区域和背景,进一步提取出运动目标。当提取出的视频序列中的运动对象为人体时,利用主元素分析法(principlecomponentanalysis,PCA)进行人脸识别。实验证明,算法计算简单,速度快,用于人脸识别时能正确提取出运动的人体。     

多晶硅薄膜淀积的核化和早期生长

研究了在常压SiH_4-H_2系统中,于1050C下,在不同衬底上所获得的多晶硅淀积层的结构和核化生长过程。实验发现,衬底性质对核化过程和早期淀积层结构有影响。与热生长SiQ_2衬底比较,SiO_2+Si_3N_4 复合衬底上的淀积具有核化过程发生早,岛核尺寸小密度高,淀积层晶粒细密等特点。SiO_2 同H_2及淀积硅的反应是影响高温条件下在SiO_2衬底上核化和生长的原因。文章还讨论了核化阶段的相变过程。     

单晶硅/多晶硅同步定积过程中的边缘效应及二维扩散滞流层模型

在选择复盖SiO_2或Si_■N_4的硅衬底上,进行了单晶硅和多晶硅的同步淀积实验。对于SiO_2-Si衬底,在相当广泛的实验条件下,观察到在SiO_2-Si边界附近存在着异常核化现象。即边缘效应,而在Si_3N_4-Si衬底上则不出现边缘效应。本文认为边缘效应的起因在于反应物沿衬底表面的水平扩散流,并提出了一个二维扩散滞流层模型。从这个模型出发,可以半定量地估计各工艺参数与边缘效应的关系,理论与实验观察很好地一致。     

硅栅等平面CMOS集成电路设计规则的研究及应用

本文根据Mead和Conway提出的NMOS集成电路设计规则理论及CMOS特点,提出了混合型设计规则概念及其在硅栅等平面CMOS工艺中的应用,给出其几何及电学设计规则的典型值以及根据此规则试制成功的CMOS环形振荡器、D触发器、运算放大器等集成电路的典型特性。最后,本文还建议了设计CMOS电路应采用的标准颜色及符号。     

热型微波功率传感器的优化设计理论

在分析热型微波功率传感器的特性与结构关系的基础上 ,定义了可用来综合评价传感器特性的优化指数 ,并以解析和有限元两种计算方法推导出优化指数的解析表达式 ,从而为热型功率传感器的优化设计提供了合理的依据     

300伏全兼容CMOS集成电路器件设计与工艺

本文介绍一种与Ⅳ阱硅栅CMOS集成电路技术完全兼容的高压MOS器件的设计方法和制备工艺。这种高压MOS器件可以和CMOS逻辑电路、模拟电路集成在同一芯片上而不需任何附加工艺步骤。此种器件的闽电压为|1±0.2|V,漏击穿电压大于300V,泄漏电流小于50nA,当宽长此为115,栅偏压V_(GS)=10V时,其饱和电流大于35mA,跨导大于4000μ,而导通电阻小于600Ω。该器件在等离子显示、静电复印、场致发光、高低压开关等方面有广泛的应用。     

系统芯片设计的关键技术

随着集成电路设计与制作技术的进步,诞生了系统芯片技术。本文分析了制约系统芯片发展的三个难题:即低功耗,布线,设计难。并介绍了解决难题的方法。     

人脸识别技术的研究

人脸自动识别问题近年来受到了各国研究人员的普遍关注。在总结前人研究成果的基础上,本文分类论述了人脸自动识别课题中的常用方法,并分析了它们的优缺点。根据被识别图象的来源,人脸识别技术可分为2类:静态人脸识别和动态人脸识别。本文首先介绍了静态人脸识别中所用到的算法,然后对动态人脸识别系统进行了初步的探讨。