玻璃掺杂固溶半导体(ZnxCd1-xS)纳米微晶的溶胶-凝胶制备及光学性质研究

<正>玻璃掺杂半导体量子点材料表现出明显的量子限域作用和三阶非线性光学效应,它在制造全光学集成元件的应用前景越来越受到人们的重视。在这类材料的研究中一个很重要的问题就是:材料在具有大的非线性效应的同时还应具有合适的线性和非线性吸收。因为材料的非线性优值不但与非线性系数(χ³或n₂)成正比,而且与吸收系数成反比。但目前非线性系数比较大的一类直接能隙半导体具有确定的吸收边,例如CdS和ZnS的吸收边分别为2.42和3.8 eV,这就决定了它们的吸收特性的可调性很小。尽管可以通过量子尺寸效应改变其吸收边,但这种改变也是很有限的。从应用的角度来看,希望材料的吸收边能够根据需要而调整。     

Li－Zn－Zr－Ti－Cu系铁氧体Mo．．ssbauer效应研究

在室温条件下测量了多晶铁氧体（Ｌｉ０．５Ｆｅ０．５）０．７Ｚｎ０．３（Ｚｒ１－ｙＴｉｙＣｕ）ｘＦｅ２－２ｘＢｉ０．００３Ｏ４（其中ｘ＝０．１，０．２，ｙ＝０．５，１．０）的Ｍｏ．．ｓｂａｕｅｒ谱．结果表明，样品谱包含一套顺磁双线亚谱，强度较弱（小于５％）．顺磁谱的出现是渗入了较多非磁性离子Ｚｎ，Ｔｉ和Ｚｒ引起的     

玻璃掺杂固溶半导体(Zn_xCd_(1-x)S)纳米微晶的溶胶-凝胶制备及光学性质研究

玻璃掺杂半导体量子点材料表现出明显的量子限域作用和三阶非线性光学效应,它在制造全光学集成元件的应用前景越来越受到人们的重视。在这类材料的研究中一个很重要的问题就是:材料在具有大的非线性效应的同时还应具有合适的线性和非线性吸收。因为材料的非线性优值不但与非线性系数(χ~(3)或n_2)成正比,而且与吸收系数成反比。但目前非线性系数比较大的一类直接能隙半导体具有确定的吸收边,例如CdS和ZnS的吸收边分别为2.42和3.8 eV,这就决定了它们的吸收特性的可调性很小。尽管可以通过量子尺寸效应改变其吸收边,但这种改变也是很有限的。从应用的角度来看,希望材料的吸收边能够根据需要而调整。     

Li—Zn—Cu系铁氧体磁性和铁磁共振的研究

研究了Li—Zn—Cu铁氧体的磁性及铁磁共振效应。实验结果表明,样品的晶格常数随Cu代换量增加而线性增加.样品的饱和磁化强度在500mT左右;居里温度θ_f=710K,增加代换量和提高烧结温度可降低铁磁共振线宽,共振线宽在测量频率为5GHz以上与频率呈线性关系.     

Li—Zn系铁氧体铁磁共振研究

在纯锂铁氧体（Ｌｉ０．５Ｆｅ２．５Ｏ４）基础上，用Ｚｎ２＋离子代换其中Ｌｉ＋０．５Ｆｅ３＋０．５离子，研究了（Ｌｉ０．５Ｆｅ０．５）１－ｘＺｎｘＦｅ２Ｏ４（其中ｘ＝０．０，０．２０，０．３０，０．４０，０．５０）系铁氧体室温铁磁共振效应．结果表明，用Ｚｎ２＋离子代换Ｌｉ＋０．５Ｆｅ３＋０．５离子能有效降低内场和铁磁共振线宽，当频率高于６ＧＨｚ时，铁磁共振线宽与频率成线性关系．     

Li—Zn—Ti—Cu系铁氧体Mossbauer效应研究

在室温条件下测量了多晶铁氧体（Ｌｉ０．５Ｆｅ０．５）０．７Ｚｎ０．３（Ｚｒ１－ｙＴｉｙＣｕ）ｘＦｅ２－２ｘＢｉ０．００３Ｏ４（其中ｘ＝０．１，０．２，ｙ＝０．５，１．０）的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱。结果表明，样品谱包含一套顺磁双线亚谱，强度较弱，顺磁谱的出现是渗入较多非磁性离子Ｚｎ，Ｔｉ和Ｚｒ引起的。     

a-Si/SiO2超晶格结构的非线性光学性质

用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了a-Si/SiO₂ 超晶格. 利用TEM和X射线衍射技术对其结构进行了分析, 并采用多种光谱测量手段, 如Raman光谱、吸收光谱和光致发光谱, 对该结构的光学性质进行了研究. 结果表明, 随纳米Si层厚度的减小, Raman峰发生展宽, 吸收边以及光荧光峰发生蓝移. 用单光束Z扫描技术研究了a-Si/SiO₂ 超晶格结构的非线性光学性质. 这一结果较多孔硅的相应值大两个量级. 还对影响非线性效应增强的因素进行了讨论.     

a-Si/SiO2超晶格结构的非线性光学性质

用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格。利用ＴＥＭ和Ｘ射线衍射技术对其结构进行了分析,并采用多种光谱测量手段,如Ｒａｍａｎ光谱、吸收光谱和光致发光谱,对该结构的光学性质进行了研究。结果表明,随纳米Ｓｉ层厚度的减小,Ｒａｍａｎ峰发生展宽,吸收边以及光荧光峰发生蓝移。用单光束Ｚ扫描技术研究了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格结构的非线性光学性质。这一结果较多孔硅的相应值大两个量级。还对影响非线