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利用高斯分布模型研究多晶硅晶硅界电学特性 总被引：1，自引：0，他引：1
研究了多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制，建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型.将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布，利用这个模型，给出了改善的电流-电压特性方程，并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性.数值计算表明，多硅电阻率随势垒高度的增加而基本呈线性增加.另外，电阻率ρ随掺杂浓度的增加而减小，当掺杂剂浓度约为1×1019cm-3，ρ和ρgb下降最快.且在晶粒尺寸为102nm范围内晶界的电阻率比晶粒的电阻率约大2～3个数量级.分析结果表明，晶界是高电阻区，晶界的这种精细分布描述，有助于进一步理解多晶硅的晶界特性，从而提高多晶硅太阳电池的光电转换效率. 相似文献
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研究了晶体硅太阳电池酸绒面制备中,NH3·H2O在HF/HNO3/H2O体系中对硅片刻蚀速度的影响.实验结果表明,当NH3·H2O加入量较少时,硅片刻蚀速度随NH3·H2O含量增加而变大;NH3·H2O含量大于某值时,硅片刻蚀速度随NH3·H2O含量增加而减小.最后,用气泡搅拌理论以及扩散层理论对实验中的现象进行了理论分析,其结果对多晶硅太阳能电池酸绒面制备有一定指导意义. 相似文献
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