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利用X射线吸收精细结构(XAFS)和X射线衍射(XRD)研究了化学还原法制备的不同磷含量的Ni_(100-x)P_x合金的原子和电子结构.结果表明,当x=10时,磷元素的掺入导致了NiP样品中fcc结构的镍晶格扭曲和膨胀,Ni-Ni第一近邻配位的键长约增加0.03 A.随着磷含量的增加,膨胀和扭曲加剧,当x达到14左右时,样品的fcc-Ni晶格被完全破坏,从而形成非晶态NiP合金.X射线吸收近边结构(XANES)的结果表明,低磷含量(x≤10)时NiP样品的电子结构没有明显的变化,随着磷含量的增加,Ni4p态的分布变得宽化和越来越弥散.而当x达到26时,有大量电荷从Ni原子转移到P原子. 相似文献
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利用XAFS技术研究Fe60 Si40 二元合金体系中Fe原子周围配位环境随球磨时间的变化 .结果表明 ,球磨过程中 ,首先发生晶态α Fe和Si的晶格较大的畸变和颗粒破碎 ,致使Fe和Si原子近邻配位的无序度增大 ,进而Si原子通过活化的界面向Fe晶格扩散 ,形成亚稳的Fe3 Si和Fe5 Si3 替位固溶体 . 相似文献
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利用荧光X射线吸收精细结构(X-ray absorption fine structure,XAFS)方法研究了分子束外延生长的自组装Ge/Si(001)量子点的扩散效应.原子力显微镜结果表明,在550℃的生长温度下形成了面密度为5.2×10^11 cm^-2的高密度小尺寸量子点.XAFS结果表明,生长的Ge量子点样品覆盖Si层后在550℃温度退火,对Ge/Si之间的热扩散混合的影响较小.随着退火温度升高到800℃,Ge原子的第一近邻配位壳层中的Ge-Si配位的无序度由4.0×10^-5 nm^2降低到2.9×10^-5 nm^2,配位数由3.3升高到3.8,这表明Ge量子点样品中的Ge原子的近邻主要为Si配位原子,高温退火显著增加了Ge原子在Si层中的扩散. 相似文献
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利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、恒温氮气吸附等技术,研究了不同焙烧温度下制备的介孔Co3O4纳米片的物相和微结构特点,明确了焙烧温度影响介孔Co3O4纳米片超级电容性能的微观机理.XRD和TEM结果表明,不同焙烧温度下获得的产物均为尖晶石结构的介孔Co3O4纳米片,且随着焙烧温度的升高,样品的结晶性增强.恒温氮气吸附结果表明,随着焙烧温度从300℃增加到500℃,介孔Co3O4纳米片的BET比表面积从27.9m2/g降低到2.2m2/g.电化学测试结果表明,400℃焙烧产物具有最优的超级电容性能,其比电容值为151F/g,是300和500℃焙烧产物比电容值的2倍左右.基于上述表征结果,我们提出样品结晶性和表面微结构的协同作用是决定介孔Co3O4纳米片超级电容性能的关键因素:与300℃焙烧样品相比,400℃焙烧产物具有更好的结晶性,利于电极氧化还原反应过程中电子的传输迁移;与500℃焙烧样品相比,400℃焙烧产物具有更为适中的BET比表面积,利于电解液参与电极反应. 相似文献
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利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga(1-x)MnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-Mn1二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在. 相似文献
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机械合金化Fe60Si40体系的XAFS研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用XAFS技术研究Fe60Si40二 元合金体系中Fe原子周围配位环境随球磨时间的变化,结果表明,球磨过程中,首先发生晶态α-Fe和Si的晶格较大的畸变和颗粒破碎,致使Fe和Si原子近邻配位的无序度增大,进而Si原子通过活化的界面向Fe晶格扩散,形成亚稳的Fe3Si和Fe5Si3替位固溶体。 相似文献