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本文研究了不同厚度三维拓扑绝缘体Sb2Te3的圆偏振光致电流光谱。研究表明，在1064纳米圆偏振激光激发下，厚度为7纳米的三维拓扑绝缘体Sb2Te3薄膜的圆偏振光致电流与厚度为30纳米的样品的符号相反。原子力显微镜的分析表明30纳米的样品比7纳米的样品具有更大表面粗糙度，这使得30纳米样品的上表面态对圆偏振光致电流的贡献减小，使其下表面态的贡献占主导。而7样品的样品是上表面态的贡献占主导，从而相比厚度为30纳米的样品出现了反号。研究表明，在960纳米激光激发下，厚度为30纳米和7纳米的样品呈现相同的符号。进一步研究表明这个信号可能与InP衬底的自旋注入有关。 相似文献
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针对观察到厚度为7 nm的三维拓扑绝缘体Sb_2Te_3薄膜的圆偏振光致电流与厚度为30 nm样品的符号相反这一情况,提出进一步利用原子力显微镜表征的方法.利用1 064 nm圆偏振激光的激发,发现30 nm的样品比7 nm的样品具有更大表面粗糙度,从而得到30 nm样品的上表面态对圆偏振光致电流的贡献减小,使其下表面态的贡献占主导;而7 nm的样品为上表面态的贡献占主导,故相比厚度为30 nm的样品出现了反号这一结论.同时利用960 nm激光激发样品,发现厚度为30和7 nm的样品呈现相同的符号,进一步研究表明这个信号可能与InP衬底的自旋注入有关. 相似文献
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