排序方式: 共有10条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
喻菁 《四川大学学报(自然科学版)》2010,47(6)
本文采用直流磁控溅射方法,在He/Ar混合气氛中,通过分别改变He/Ar流量比和沉积偏压制备不同He含量的钛膜。利用XRD(X-ray diffraction)对含He钛膜的微观结构和晶粒尺寸进行了研究。结果表明,在其它实验参数不变的情况下,当He/Ar流量比从1.0增加到25时,钛膜的平均晶粒尺寸从19.02nm减小到8.63nm。随着膜中He含量的增加,衍射峰宽化,晶粒细化,He的掺入有抑制纳米晶粒长大的趋势。而当沉积偏压从24V增加到151V时,其平均晶粒尺寸基本不变。He引入引起了(002)晶面衍射峰向小角度移动,晶格参数c增加,而a不变。 相似文献
2.
3.
RHS技术在舰载天线优化布局中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
针对舰载通信天线布置特性,综合应用典型启发式随机搜索技术(RHS)和数值仿真技术,对传统天线布局方法进行改进.以遗传算法为例,建立其与舰载天线优化布局的两类对应关系:天线优化布置参数与遗传算法特征值的关系;天线优化布置操作与遗传算子的关系.通过矩量法、多目标优化算法和权重系数变化法,对天线优化布局问题进行量化分析,解决了多参数协调控制复杂平台天线优化布局问题.在此基础上构造了一个具有理想导电面的舰船平台,以具体实例验证了理论模型的正确性.最终数值计算结果和试验结果符合较好,表明采用RHS技术获取的天线布局方案优于传统的天线布局方法,且可兼顾精度和效率. 相似文献
4.
正电子深能级瞬态谱在GaAs缺陷研究中的应用 总被引:3,自引:2,他引:1
本文介绍的正电子深能级瞬态谱(PDLTS)技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱(PAS)和一些深能级瞬态谱(DLTS)技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ~Ⅴ,Ⅱ~Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息.本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究,运用该技术并结合深能级Arrhenius分析,得到EL2能级值为0.82±0.02 eV. 相似文献
5.
种子企业需要建立规范化体制 ;科技内涵是企业发展的基础 ,必须建立自我育种体系 ,满足市场的各种需要 ;要把“以信为本”作为经营管理的理念 ,杜绝违反市场经济法规的行为出现 ,在消费者心目中树立良好的形象。 相似文献
6.
7.
对于氦在金属中的行为特性研究,人们已经做了大量工作;但对于金属钚,这方面的工作仍然非常少.钚的自辐照效应可以在自身引入大量的空位和氦原子,这些空位及氦原子扩散、聚集,会对材料性能造成不良影响.本文采用动力学Monte Carlo(KMC)方法,分别建立了纯氦模型和空位模型,进行模拟研究,发现空位对氦泡生长速度、生长形态都有明显的影响. 相似文献
8.
喻菁 《江汉大学学报(自然科学版)》2012,40(4):160-161
为提高稿件处理效率,科技期刊编辑除了不断提高专业素质之外,还需要进行个体时间管理。从找出浪费时间的因素,减少时间浪费着手,提出可以通过优化编辑工作的安排,将工作分类、时间分块,以一次性达到质量目标为要求,巧妙掌握莫法特休息法,灵活应用零碎时间等途径,争取提高编辑效率,高效完成更多种类的工作任务。 相似文献
9.
含He纳米钛膜的XRD研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文采用直流磁控溅射方法,在He/Ar混合气氛中,通过分别改变He/Ar流量比和沉积偏压制备不同He含量的钛膜.利用XRD(X-ray diffraction)对含He钛膜的微观结构和晶粒尺寸进行了研究.结果表明,在其它实验参数不变的情况下,当He/Ar流量比从1.0增加到25时,钛膜的平均晶粒尺寸从19.02 nm减小到8.63 nm.随着膜中He含量的增加,衍射峰宽化,晶粒细化,He的掺入有抑制纳米晶粒长大的趋势.而当沉积偏压从24 V增加到151 V时,其平均晶粒尺寸基本不变.He引入引起了(002 相似文献
10.
1