金属中缺陷对电化学渗氢的影响

金属中缺陷用缺陷密度G_i、陷阱能量E_i和频率因子V_i表示,氢扩散系数同这些参数的关系由简单的位能曲线模型导出.缺陷对电化学渗氢暂态的影响通过数值方法进行分析.结果表明,缺陷的存在会延迟渗氢暂态电流的出现,减小渗氢电流的变化速度.这些结论可用于解释若干异常的渗氢实验现象.文中还讨论了氢扩散系数的Arrhenius关系.     

四苯卟啉及其金属配合物对Fe~(3+)离子在水/硝基苯界面迁移的推动作用

关于四苯卟啉(H_2TPP)及其第一过渡金属配合物(MTPP,M=Mn,FeCl,Co,Ni,Cu,Zn)对H~+通过W/NB界面所产生的推动作用前文已作报道。本文研究上述两者对Fe~(3+)在W/NB界面迁移的影响,并根据实验事实提出可能的微观机理。 实验仪器、电化学测试方法及主要试剂的制备、纯化参照前文。主要结果如下。H_2TPP对Fe~(3+)在W/NB界面迁移的影响     

充电曲线法研究铂表面氧层的形成

利用恒电流充电曲线法和电位衰退法研究1 N H_2SO_4溶液中光亮铂丝电极表面氧层的形成和解脱.讨论了阳极充电过程的特征及表面氧层的吸附本质,并指出氯的存在对阳极充电曲线的形状有影响.     

用正电子素探测镀镍添加剂的亲电子能力

本实验分别测定五种镀镍添加剂与正电子素在水溶液中络合反应的表观生成速度常数Kobs,并以此作为衡量它们的亲电子能力的标准.本文描述正电子素与有机分子络合反应机理,并指明所探测的是吸引单个电子的能力.     

N-苄基吡啶甲酸盐的电化学行为

采用取样直流极谱法,定电位电量法,循环伏安法、微分电容法、电毛细曲线法和阴极极化曲线等电化学方法,研究N-苄基吡啶甲酸盐(PB、NB和IB)在2.5N NaOH溶液中的电化学行为,探讨它们的电化学还原机理及其对锌电沉积的作用。     

某些添加剂对镍在玻璃碳上电结晶的影响

用阶跃电位法研究了光亮镍Watts镀液中添加剂:糖精、丁炔二醇和香豆素,对镍在玻璃碳上沉积初始阶段的影响.结果表明,在不含添加剂的该电解液,镍电结晶的初始阶段按连续成核的三维生长机理进行;分别或同时含有糖精和丁炔二醇时,则按瞬时成核的三维生长机理进行.糖精或丁炔二醇促进成核过程而阻化晶核的生长,这两种添加剂同时存在时则对成核和三维生长都起促进作用;添加香豆素或者同时添加三种添加剂不改变成核和生长的方式,但香豆素对成核过程和晶核生长都起着促进作用,而三种添加剂混用则对成核和生长过程起着阻化作用.本文采用Fleischmann等人郝二建模型.     

二氧化铅阳极在电解中的应用

本文概述二氧化铅电极的制备、性质以及作为不溶性阳极电解氧化一些无机物和有机物的结果.     

化学模拟生物固氮——Ⅹ.电量法测定钼铁蛋白氧还电位时电子传递中间体的作用

生物体系中许多氧化还原反应是按照电化学机理进行的。例如有机体中的固氮过程就经历一系列复杂的电子传递步骤。为了解固氮过程的电子传递机理,已利用吸收光谱、电子顺磁共振谱、电位滴定和定电位电量法等多种方法测定钼铁蛋白的氧还电位,但所得结果很不一致。定电位电量法不需要外加强的氧化剂或还原剂,避免出此引     

电流密度对Ni-W-B合金电沉积层结构和显微硬度的影响

采用电化学技术、ＸＲＤ、ＤＳＣ等方法研究电流密度对Ｎｉ－Ｗ－Ｂ合金电沉积、镀层结构和显微硬度的影响,结果表明：沉积电流密度提高,Ｎｉ－Ｗ－Ｂ合金电沉积层Ｗ含量增大,Ｂ含量降低,电沉积电流效率降低,所获得的合金镀层表现为亚稳态纳米晶结构,在不同电流密度下获得的Ｎｉ－Ｗ－Ｂ合金电沉积层的显微硬度值接近,约为６５０ｋｇ／ｍｍ＾２,与Ｎｉ－Ｗ合金相比有明显提高。     

金属复层膜渗氢的电化学测定

对由镀层和基体金属组成的复层体系的渗氢行为进行理论分析,导出渗氢电流关系式。依实际条件的不同,渗氢暂态分为升起暂态和衰降暂态。导出的公式表明,利用单一条渗氢电流曲线有可能同时确定氢在镀层和基体中的扩散系数D1和D2。单面镀镍的铜片上的渗氢测定结果证明,由升起暂态和衰降暂态分别得到的一组D1和D2值基本一致。文中对复层和单层体系的渗氢卑流公式进行比较,指出单层金属上渗氢阻挡层的存在对渗氢暂态的影响。