异质面GaAs太阳电池暗电流－电压特性的隧穿效应

在２００～３００Ｋ温度内测量了由ＬＰＥ生长的异质面高效ＧａＡＬｓ太阳电池暗电流－电压特性的温度关系，对实测的Ｉ－Ｖ特性进行拟合分析，认为低温低偏压下的过剩电流，起因于耗尽层内禁带中局域态间热协助的多级带间隧穿效应．     

培养阅读兴趣,提高读写能力

围绕提高初中学生读写能力,探讨了培养学习兴趣、养成学习习惯、激励学习创新等方面问题,结合初中语文第一册教学体会,分析了学生进行写作的几个重要步骤。     

GaP(N)中深能级缺陷和发光效率

用光电容方法研究了GaP(N)样品中深能级杂质缺陷;以曲线拟合方法计算机分析多能级响应的瞬态光电容谱,确定深能级参数:能级位置、能级浓度和光发射率等;并测量了GaP(N)LED的发射光谱和发光效率。结果表明:发光效率较低的LED(η_(ext)=0.019％)中存在着E_1、E_2、E_3、E_4、E_5、H_1多种深能级;发光效率较高的LED(η_(ext)=0.096％),深能级较少(E_3、E_4、H_1)。这些深能级具有无辐射复合中心作用,使发光效率明显降低。     

电子辐照GaP(N)光电性质及缺陷中心

本文描述1MeV电子辐照GaP(N)LED中辐照缺陷及其对光电性质的影响。用EL光谱、CL光谱和光电流谱等为研究技术,发现电子辐照使发光效率显著降低,并产生新的辐射中心,证明发光效率的降低是由于辐照产生大量无辐射复合中心和某些辐射复合中心对能量的耗散作用。分析了这些缺陷中心的本质。指出GaP(N)LED中V_(Ga)和残存氧原子是特别有害的杂质和缺陷。     

混晶GaAs_(1-x)P_x(Te)深中心的电声耦合和光电特性

一、引言 近年来,Ⅲ—Ⅴ族化合物混晶半导体中施主杂质(如Al_xGa_(1-x)As中Ge、Si、Sn和GaAs_(1-x)P_x中S、Se、Te等)形成的深中心(DX中心)的某些奇特行为引起人们广泛关注。虽然这些材料的基质和杂质的类型不同,但深中心的特性相似,例如它们在禁带中引入一个浅能级和一个或几个深能级,深能级的浓度很大(可接近掺杂施主浓度);深能级的光离化能显著大于热离     

GaAs_（1－x）P_x：TeLED中深能级及其对发光效率的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法研究了不同发光效率的掺Ｔｅ的ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘＬＥＤ中的深中心，探讨深能级对ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：ＴｅＬＥＤ发光效率的影响，结果表明，发射率激活能为０．４０ｅＶ的Ｂ能级是影响发光效率的主要无幅射中心．     

GaP:N外延层特性的研究

本文研究了生长条件对GaP:N外延层的形貌、生长速率、位错密度、S坑密度、氮浓度、少子寿命的影响。实验表明,外延层中的氮浓度、少子寿命随外延生长起始温度的升高而增大。用GaN作为掺杂氮源,在1037—980℃温度范围生长的外延层中氮浓度不高于5.6×10~(17)cm~(-3);LEC GaP衬底(τ_m～5ns)上在995—900℃温度范围生长的外延层,其少子寿命可达～130ns。外延层中的位错密度和衬底中大体相同,但S坑密度降低一个数量级。     

电子辐照GaP晶体中缺陷的产生和影响

本文描叙电子辐照GaP晶体中缺陷的产生过程及对少子扩散长度和发光的影响。测量了电子辐照前后的少子扩散长度的变化,观察了缺陷密度和形貌,通过阴极射线发光讯号和电子束感生电流讯号的检测,对少子扩散长度和缺陷的变化加以验证。分析了电子辐照GaP晶体中缺陷产生的机制,计算了GaP晶体的原子位移间能和电子辐照阔值能量。本工作证明GaP晶体中点缺陷和微缺陷是重要的无辐射复合中心,高密度微缺陷使材料少子寿命和发光效率显著降低,产生发光猝灭。     

磷化镓晶体中缺陷及其成因的探讨

在七种常用腐蚀液对比实验的基础上,选取RC腐蚀液,将使用条件作适当改进,既能清晰显示GaP晶体(Ⅲ)P面、又能显示(Ⅲ)Ga面上的多种缺陷。通过重复腐蚀和逐层腐蚀实验弄清了这些缺陷的形貌特征与识别方法。用红外显微镜和电子显微镜观察与研究清洁位错和缀饰位错。实验发现晶体中缺陷分布的规律,并发现加磷压的高温热处理有助于减少LEC GaP晶体中微缺陷。文中分析和探讨了微缺陷的成因与本质。