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建立了快速沉积高品质金刚石膜的热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积新方法. 相对于常规冷阴极辉光放电而言,热阴极辉光放电是一种新型放电形式,具有许多新的特性,其中重要一点是具有较高的放电电流(6.0~10.0 A). 较高的放电电流既是热阴极辉光放电本身的突出特点,同时对于化学气相沉积金刚石膜工艺也产生重要影响. 实验研究了放电电流于金刚石膜沉积速率、表面形貌和热导率的影响,发现由于放电电流影响辉光放电的等离子体区和阳极区,进而对金刚石膜的沉积速率和品质有很大影响. 特别是通过放电电流的提高,可以有效地提高金刚石膜的品质,这对于制备优质金刚石膜产品有重大意义. 相似文献
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本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。 相似文献
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本文研究了用热解CVD方法合成的金刚石的结晶特性,并与用高温高压法合成的金刚石的结晶特性做了比较。 相似文献
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本文研究了用直流电弧等离子体喷射法快速沉积的金刚石薄膜的生长特性,并与用热解CVD法沉积的金刚石薄膜生长特性做了比较。 相似文献
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在Na2CO3-Na2SiO3溶液中,采用正负不对称交流微弧氧化电源在纯钛(TA2)上制备了多孔TiO2薄膜.利用XRD和SEM分别研究了氧化膜的相组成和微观结构.实验结果表明,在恒定电流密度下,处理时间对膜的厚度、相组成和表面形貌影响很大.随处理时间的增加,膜表面的微孔尺寸明显变大. 相似文献
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建立了用于沉积高品质金刚石薄膜的微波等离子体化学气相沉积系统,并对该系统的工作性能进行了研究。 相似文献
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1967年Dyment等人利用Ⅱα型天然金刚石制备出了用于GaAs半导体激光二极管散热用的金刚石热沉,并用该热沉首次实现了这一激光二极管的室温连续工作。但是由于受到制备成本的限制,利用天然及高压合成金刚石制备的热沉一直没有得到推广应用。 本文用灯丝热解CVD方法,合成了厚度为100μm的金刚石多晶薄膜,通过真空蒸发 相似文献
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阴/阳极电流密度对铝合金微弧氧化陶瓷膜特性的影响 总被引:11,自引:5,他引:6
采用微弧氧化技术在铝合金上合成了陶瓷膜, 研究了阳极电流密度和阴/阳极电流密度比对陶瓷膜特性的影响. 结果表明, 阳极电流密度对陶瓷膜中α-Al2O3比γ-Al2O3的相对含量影响很大, 但阴/阳极电流密度比对其相对含量的影响较小, 而陶瓷膜的显微硬度、 微观结构和致密层的厚度与阳极电流
密度和阴/阳极电流密度比密切相关. 相似文献