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以稳恒载流园直导线为例,根据保证稳恒电流的电荷分布特点,指出欧姆安律微小形式中的电场强度E^→应是总电场的电流方向的分量,同时又指出一般情况下这一分量与总电场方向偏差很小,量值基本相等。 相似文献
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以稳恒载流圆直导线为例,根据保证稳恒电流的电荷分布特点,指出欧姆定律微分形式中的电场强度E应是总电场在电流方向的分量,同时又指出一般情况下这一分量与总电场方向偏差很小,量值基本相等。 相似文献
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1 引言以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为代表的Ⅲ族氮化物材料是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。其 1 .9- 6.2eV连续可变的直接带隙 ,优异的物理、化学稳定性 ,高饱和电子漂移速度 ,高击穿场强和高热导率等优越性能使其成为短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备的优选材料。目前用于GaN外延生长的主要方法有 :金属有机化学汽相淀积 (MOCVD) ,分子束外延 (MBE)和氢化物汽相外延 (HVPE)等。其中MOCVD是使用最广泛和实用的外延生长方法 ,具有很强的工业应用背景。HVPE技术… 相似文献
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利用柠檬酸溶胶一凝胶自蔓延法合成掺杂稀土元素镧的尖晶石型铁氧体LiLaxFe5-xOs(x=0,0.02,0.04,0.06)纳米粉末,利用x射线衍射仪(XRD)研究其相结构和晶粒尺寸,用扫描电镜(SEM)观察其形貌和颗粒度.用AV3618型微波矢量网络分析仪研究了镧含量对铁氧体的复介电常数、复磁导率的影响.实验结果表明,添加适量的稀土镧显著地改善铁氧体的吸波性能.在8.20~12.5 GHz测试频段内,掺杂量为x=0.02和0.04的样品具有良好的微波吸收性能. 相似文献
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