微波光电导衰退测量少子寿命的新方法

少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数,它对各种半导体器件的电特性有很大影响.已有许多作者采用微波方法测量半导体材料的少子寿命.这种方法本质上是光电导衰退法.由于可做到无接触测试,它显示了较大的优越性.但是,为了把样品     

光声光谱法测定磷砷化镓外延层固溶体组分

测定磷砷化镓(GaAs_(1-y)P_x)外延层固溶体组分参数常用的方法是通过测定其禁带宽度,然后利用其组分参数与禁带宽度的关系曲线或经验公式得到组分参数的数值.本文是利用被测样品的光声光谱图(见图1)确定与样品禁带宽度相对应的入射单色光波长九λ_(E(?)),再用公式     

N/P硅外延片的少子扩散长度测量

本文提出了用N/P硅外延片的结光电压光谱响应确定N/P硅外延片中少子扩散长度的方法.导出了入射光强1和结光电压V、光吸收系数a的理论关系,其中包含了外延层和衬底少子扩散长度的信息.