Mg和Al共掺杂对CaCu3Ti4O12介电性能的影响

CaCu₃Ti₄O₁₂(CCTO)具有较大的介电常数,在储能领域具有巨大的应用潜力,但高介电损耗却限制了其应用。本文采用固态法共掺杂Mg和Al元素,研究Al掺杂量对CCTO的介电常数、介电损耗和阻抗等物理性能的影响。实验结果表明,Mg和Al元素共掺杂,CCTO的晶格常数减小,衍射峰位向高角度偏移;随Al含量的增加,CCTO的介电常数明显减小,而介电损耗随频率、温度的提高先减小后增大,阻抗显著增大;在中低频、低温时,掺杂可有效降低介电损耗。     

催化剂厚度对碳纳米管直径的影响

由于碳纳米管具有独特的结构和性能，因而自从被发现以来一直受到人们的关注。近年来，已利用各种方法成功地合成出碳纳米管，特别是利用化学气相沉积方法制备高度准直的碳纳米管。分析了该方法中催化剂厚度对碳纳米管直径的影响，利用负衬底偏压热灯丝CVD系统和不同厚度的NiFe催化剂在Si衬底上直接生长，并用扫描电子显微镜来研究碳纳米管的生长过程。结果表明催化剂颗粒封闭了碳纳米管的顶端，催化剂厚度对碳纳米管的直径有较大的影响，碳纳米管的平均直径随催化剂厚度的增大而增大。     

γ辐射的散射研究

从γ射线在射入物质体内时发生的康普顿散射现象出发 ,在忽略三次 (及以上 )散射、光电吸收的前提下 ,从理论上讨论了二次散射对工业CT机图像质量的影响。给出了两种数学模型。研究了辐射强度的减少与吸收体厚度之间 ,以及一次射线束与二次射线束的相对强度同吸收体厚度之间的定量关系。结果显示 :该讨论适用于垂直入射的平行窄束射线情形 ;二次散射会降低整个图像或部分图像的对比度 ,并将产生“压杯”现象 ;材料对射线的吸收越强、材料越厚 ,则图像对比度的降低越明显。该讨论及结论还适用于X射线源。     

磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO2气敏特性分析

利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的研究结果显示所制备的ZnO∶In为纤锌矿的多晶薄膜,具有高度C轴择优取向。气敏研究结果表明ZnO∶In薄膜对NO2气体有较强的敏感性,最佳工作温度为273℃,其敏感度与薄膜的厚度和NO2气体的体积分数有关。ZnO∶In薄膜对较高体积分数的NO2气体的灵敏度较高,而薄膜比厚膜的灵敏度高,厚度为90 nm的薄膜在273℃时对体积分数为2×10-5的NO2气体的敏感度高达16,表明ZnO∶In薄膜具有检测较低体积分数NO2的能力。     

一种用于制冷的新型太阳能电池——CdS／CdTe

CdS/CdTe多晶薄膜电池是一种利用CdS的优良窗口效应和CdTe良好的光电转换而做成的一种层叠的异质结薄膜太阳电池，是适用于制冷、新型、高效率、低成本的太阳能电池，具有低缺陷、能隙大、稳定性好的特点，并且制作工艺简单、经济，易于大面积沉积，而且还具有环保价值。综述了CdS/CdTe多晶薄膜太阳能电池的特性及它的发展，同时还归纳了一些适应大面积和低成本的生产工艺。     

磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO2气敏特性分析

利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜。X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）的研究结果显示所制备的ZnO∶In为纤锌矿的多晶薄膜,具有高度C轴择优取向。气敏研究结果表明ZnO∶In薄膜对NO2气体有较强的敏感性,最佳工作温度为273 ℃,其敏感度与薄膜的厚度和NO2气体的体积分数有关。ZnO∶In薄膜对较高体积分数的NO2气体的灵敏度较高,而薄膜比厚膜的灵敏度高,厚度为90 nm的薄膜在273 ℃时对体积分数为2×10-5的NO2气体的敏感度高     

TiO2的光催化机理及在制冷设备中的消毒、杀菌作用

TiO2利用光催化反应，能产生一些具有强氧化性的小尺寸离子，运用于制冷设备中可以消毒、杀菌。文中介绍了光催化机理，消毒、杀灭细菌的作用以及提高TiO2光催化效率的途径，提出TiO2作为光催化剂还存在的一些问题及应用前景。     

闪锌矿ZnSe电子结构的第一性原理

 采用基于密度泛函理论（DFT）框架下的第一性原理平面波赝势（PWP）方法,计算了闪锌矿结构ZnSe晶体的晶格常数、能带结构、态密度以及电荷布居,计算结果表明,闪锌矿结构的ZnSe是一种直接带隙半导体材料,其下价带主要由Zn 3d电子贡献,上价带主要由Se 4p电子形成,导带主要来自于Zn 4s电子以及Se原子最外层电子,Zn原子与Se原子之间形成的是包含弱离子键的共价键,净电荷值分别为0.14e和-0.14e。