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1.
报道一个具有宽带特性的3mm波导结型隔离器,其性能为插入损耗小于0.8dB,反向隔离大于20dB,绝对带宽为3.5GHz(92.5-96GHz)。对影响器件的性能因素进行了讨论,并指出实验结果似乎与旋转门环行器设计理论不一致。  相似文献   
2.
3.
文章采用固相反应法制备了具有c-轴取向的层状Bi系钴氧化物多晶样品,并测试了样品射频介电常数.实验结果表明,相对于没有明显取向的样品,c-轴取向样品的相对介电常数从150以上减少到80左右,同时损耗角正切也不到前者的1/2.这是由于没有取向的样品中空间电荷极化对介电常数有很大贡献,而c-轴取向的样品中基本没有空间电荷极化的贡献.  相似文献   
4.
对采用不同温度烧结的Bi系2212相样品的R—T曲线测量表明,随着烧结温度的增高,R—T曲线发生由超导相向半导体相的转变,而且这种转变无法以CuO2面的结构畸变来解释.认为是因为烧结温度的不同导致了样品中载流子浓度的变化而引起的样品超导电性的变化.烧结温度升高,样品中的载流子浓度减小,导致了样品由超导相向半导体相的转变,与铜氧化物超导体相图所显示的规律性是一致的.  相似文献   
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